[发明专利]半导体器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：

场板；

多个电阻，多个所述电阻的阻值不尽相同；各所述电阻一端分别电连接至所述场板的表面的不同位置处，另一端均连接源端电压。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构还包括多个间隔排布的第一互连结构，多个所述第一互连结构一端分别与所述电阻一一对应连接，另一端分别位于所述场板表面的不同位置处。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构还包括多个金属互连层；所述金属互连层位于所述第一互连结构及所述电阻之间，与所述第一互连结构及所述电阻一一对应连接。

4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于，多个所述第一互连结构等间距间隔排布。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构还包括：

衬底，所述衬底内形成有相邻接的源区及漏区；

场氧化层，位于所述衬底的表面，且自所述源区的表面延伸至所述漏区的表面；

所述场板自所述源区的表面延伸至所述场氧化层远离所述衬底的表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构还包括第二互连结构，所述第二互连结构位于多个所述第一互连结构远离所述源区的一侧，一端与所述场板相接触，另一端连接输入电压。

7.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述半导体器件结构的制备方法包括：

形成场板；

于所述场板外形成多个电阻，多个所述电阻的阻值不尽相同；各所述电阻一端分别电连接至所述场板的表面的不同位置处，另一端均连接源端电压。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，形成所述场板之后，且形成所述电阻之前，还包括：

于所述场板的表面形成多个第一间隔排布的第一互连结构，所述第一互连结构一端分别与所述电阻一一对应连接，另一端分别位于所述场板表面的不同位置处。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一互连结构之后，且形成所述电阻之前，还包括：

于所述第一互连结构及所述电阻之间形成多个金属互连层；所述金属互连层与所述第一互连结构及所述电阻一一对应连接。

10.根据权利要求8所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，形成所述场板之前，还包括：

提供衬底；

于所述衬底内形成源区及漏区，所述源区与所述漏区相邻接；

所述场氧化层形成于所述衬底的表面，自所述源区的表面延伸至所述漏区的表面。

11.根据权利要求10所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述于所述场板的表面形成多个第一间隔排布的第一互连结构的同时，还于所述场板的表面形成第二互连结构，所述第二互连结构位于多个所述第一互连结构远离所述源区的一侧，一端与所述场板相接触，另一端连接输入电压。