[发明专利]一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及测试结构

摘要

本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及钝化接触的接触电阻测试结构，钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺包括：在硅片表面形成钝化层；在钝化层上形成掺杂层，并在掺杂层上形成掩膜；利用激光去除掩膜部分区域，形成依次间隔设置的多根掩膜栅线；利用湿法刻蚀在相邻掩膜栅线之间形成至少贯穿掺杂层及钝化层的沟槽；去除掩膜栅线；制备与掺杂层接触的金属电极。本发明提供的钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺无需采用昂贵且复杂的光刻技术或者反应离子刻蚀工艺开设沟槽，制备工艺简单，且大大降低了制备成本。