[发明专利]一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及测试结构

说明书

本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及钝化接触的接触电阻测试结构，钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺包括：在硅片表面形成钝化层；在钝化层上形成掺杂层，并在掺杂层上形成掩膜；利用激光去除掩膜部分区域，形成依次间隔设置的多根掩膜栅线；利用湿法刻蚀在相邻掩膜栅线之间形成至少贯穿掺杂层及钝化层的沟槽；去除掩膜栅线；制备与掺杂层接触的金属电极。本发明提供的钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺无需采用昂贵且复杂的光刻技术或者反应离子刻蚀工艺开设沟槽，制备工艺简单，且大大降低了制备成本。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及测试结构。

背景技术

太阳能电池的钝化接触结构，如钝化层/掺杂层、超薄本征非晶硅层/重掺杂非晶硅层，不仅具有优异的界面钝化性能，可以显著降低金属接触复合，还具有优异的接触性能，促进多数载流子的有效传输。对于大面积全尺寸的量产技术而言，开发出一种简单、快捷且能准确测定钝化接触结构的接触电阻率的测试结构，对于钝化接触结构接触性能的优化具有重要的意义。

现有技术中，太阳能电池的钝化接触结构的接触电阻的测试需要先制作测试结构，利用测试结构采用TLM(Transmission-Line Modeling)方法进行测试接触电阻率。现有的钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺一般先在硅片上依次制备钝化层、掺杂层及金属电极。采用TLM方法测试钝化接触的接触电阻时，相邻金属电极的电流存在两个传输通道：1、金属电极→掺杂层→金属电极；2、金属电极→掺杂层→钝化层→硅片→钝化层→掺杂层→金属电极。为了测试金属电极/掺杂层/钝化层/硅片整个界面的接触电阻，需要开设沟槽切断上述传输通道1，使相邻金属电极的电流的只能经金属电极→掺杂层→钝化层→硅片→钝化层→掺杂层→金属电极。而现有技术中，通常需要采用昂贵且复杂的光刻技术或者反应离子刻蚀工艺来开设该沟槽，使得钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺复杂且制备成本高。

发明内容

本发明提供一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，旨在解决现有技术中的钝化接触的接触电阻测试结构制备工艺复杂且制备成本高的问题。

本发明是这样实现的，提供了一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，包括：

在硅片表面形成钝化层；

在所述钝化层上形成掺杂层，并在所述掺杂层上形成掩膜；

利用激光去除所述掩膜部分区域，形成依次间隔设置的多根掩膜栅线；

利用湿法刻蚀在相邻所述掩膜栅线之间形成至少贯穿所述掺杂层及所述钝化层的沟槽；

去除所述掩膜栅线；

制备与所述掺杂层接触的金属电极。

优选的，所述沟槽仅贯穿所述掺杂层及所述钝化层。

优选的，所述沟槽贯穿所述掺杂层及所述钝化层，且所述沟槽贯穿部分所述硅片，以减薄相邻所述掩膜栅线之间的硅片厚度。

优选的，所述硅片的减薄厚度为0.1～200um，且所述硅片的减薄厚度小于所述硅片的厚度。

优选的，所述硅片的减薄厚度为20～60um。

优选的，所述钝化层为氧化层、氮化层、氮氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。

优选的，所述钝化层上形成掺杂层，并在所述掺杂层上形成掩膜的步骤包括:

在所述钝化层上沉积本征层；

将所述本征层进行扩散工艺处理，以使所述本征层形成所述掺杂层，并在所述掺杂层上形成硼硅玻璃或磷硅玻璃作为所述掩膜。