[发明专利]一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺及测试结构

权利要求书

1.一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，包括：

在硅片表面形成钝化层；

在所述钝化层上形成掺杂层，并在所述掺杂层上形成掩膜；

利用激光去除所述掩膜部分区域，形成依次间隔设置的多根掩膜栅线；

利用湿法刻蚀在相邻所述掩膜栅线之间形成至少贯穿所述掺杂层及所述钝化层的沟槽；

去除所述掩膜栅线；

制备与所述掺杂层接触的金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述沟槽仅贯穿所述掺杂层及所述钝化层。

3.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述沟槽贯穿所述掺杂层及所述钝化层，且所述沟槽贯穿部分所述硅片，以减薄相邻所述掩膜栅线之间的硅片厚度。

4.根据权利要求3所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述硅片的减薄厚度为0.1～200um，且所述硅片的减薄厚度小于所述硅片的厚度。

5.根据权利要求3所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述硅片的减薄厚度为20～60um。

6.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述钝化层为氧化层、氮化层、氮氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。

7.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述钝化层上形成掺杂层，并在所述掺杂层上形成掩膜的步骤包括:

在所述钝化层上沉积本征层；

将所述本征层进行扩散工艺处理，以使所述本征层形成所述掺杂层，并在所述掺杂层上形成硼硅玻璃或磷硅玻璃作为所述掩膜。

8.根据权利要求7所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述本征层为氧化层、氮化层、氮氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。

9.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述掩膜的厚度为2～500nm。

10.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述钝化层的厚度为0.2～20nm。

11.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述掩膜栅线的宽度为10～1000μm。

12.根据权利要求1所述所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述金属电极的宽度为5～1000μm。

13.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述沟槽的宽度为0.1mm～5mm。

14.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述去除所述掩膜栅线步骤之后，所述制备与掺杂层接触的金属电极的步骤之前还包括：

制备覆盖所述沟槽底部及所述掺杂层的钝化膜。

15.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述利用湿法刻蚀在相邻所述掩膜栅线之间形成至少贯穿所述掺杂层及所述钝化层的沟槽具体包括：

利用碱溶液在相邻所述掩膜栅线之间刻蚀形成至少贯穿所述钝化层及所述掺杂层的沟槽。

16.根据权利要求1所述的一种钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺，其特征在于，所述去除所述掩膜栅线的步骤具体包括：

采用酸洗去除掩膜栅线。

17.一种钝化接触的接触电阻测试结构，其特征在于，由上述权利要求1-16任意一项所述的钝化接触的接触电阻测试结构的制备工艺制得。