[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法有效
| 申请号： | 202210462528.5 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114628503B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 薛东 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/36;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 鲁盛楠 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构包括互连线层，互连线层包括第一区域和第二区域，第一区域上包括第一对准标记；隔离结构设置在互连线层的第二区域上；再分布层随形覆盖互连线层的第一区域和隔离结构，再分布层包括第二对准标记，第二对准标记位于第一对准标记上方。在本公开的半导体结构中，部分再分布层覆盖第一对准标记形成第二对准标记，第一对准标记的形貌转移到第二对准标记，第二对准标记相对第一对准标记的偏差较小，进行封装过程中，可以通过探针对再分布层的第二对准标记进行识别，便于对半导体结构进行量测和定位封装，提高了半导体结构的定位精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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