[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

说明书

本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构包括互连线层，互连线层包括第一区域和第二区域，第一区域上包括第一对准标记；隔离结构设置在互连线层的第二区域上；再分布层随形覆盖互连线层的第一区域和隔离结构，再分布层包括第二对准标记，第二对准标记位于第一对准标记上方。在本公开的半导体结构中，部分再分布层覆盖第一对准标记形成第二对准标记，第一对准标记的形貌转移到第二对准标记，第二对准标记相对第一对准标记的偏差较小，进行封装过程中，可以通过探针对再分布层的第二对准标记进行识别，便于对半导体结构进行量测和定位封装，提高了半导体结构的定位精度。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。

背景技术

半导体封装向小型化、高集成度和多功能性方向发展，对于半导体封装的可靠性的要求越来越高。为了确保封装效果，在后段制程中，为了降低连线复杂度，通常在半导体结构的前段制程中，在半导体结构上形成对准标记，通过探针检测对准标记，以提升制程封装过程的可靠性。

但是，后段制程中，可能会在前段制程的半导体结构上覆盖多层材料层，前段制程中的半导体结构的对准标记的形貌需要经过多次转移，导致对准标记的形貌发生极大变化，影响探针检测的精确度。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。

本公开的第一方面提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：

互连线层，所述互连线层包括第一区域和第二区域，所述互连线层的第一区域包括第一对准标记；

隔离结构，所述隔离结构设置在所述互连线层的第二区域；

再分布层，所述再分布层随形覆盖所述互连线层的第一区域和所述隔离结构，所述再分布层包括第二对准标记，所述第二对准标记位于所述第一对准标记的上方。

其中，所述第一区域与所述第二区域相邻，所述再分布层覆盖所述隔离结构的侧壁。

其中，所述半导体结构还包括：

介质层，所述介质层设置在所述互连线层的第一区域，所述介质层位于所述互连线层与所述再分布层之间，所述介质层的厚度小于预设阈值。

其中，所述半导体结构还包括：

阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述隔离结构的顶部。

其中，所述阻挡层随形覆盖所述互连线层的第一区域和所述隔离结构，所述阻挡层位于所述再分布层的下方。

其中，所述半导体结构包括功能区域，所述互连线层的第一区域与所述功能区域电性隔离。

其中，所述第一对准标记包括多个第一子标记，所述第二对准标记包括多个第二子标记；

相邻的所述第一子标记之间的间距为第一间距，相邻的所述第二子标记之间的间距为第二间距，所述第二间距为所述第一间距的80%-98%。

本公开的第二方面提供了一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：

提供第一结构，所述第一结构包括互连线层以及隔离结构，所述互连线层包括第一区域和第二区域，所述互连线层的第一区域形成有第一对准标记，所述隔离结构形成于所述互连线层的第二区域；

形成再分布层，所述再分布层随形覆盖所述互连线层的第一区域和所述隔离结构，部分所述再分布层在所述第一对准标记的上方形成第二对准标记。

其中，所述第一对准标记包括多个第一子标记，所述第二对准标记包括多个第二子标记；