[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

互连线层，所述互连线层包括第一区域和第二区域，所述互连线层的第一区域包括第一对准标记；

隔离结构，所述隔离结构设置在所述互连线层的第二区域；

再分布层，所述再分布层随形覆盖所述互连线层的第一区域和所述隔离结构，所述再分布层包括第二对准标记，所述第二对准标记位于所述第一对准标记的上方；

介质层，所述介质层设置在所述互连线层的第一区域，所述介质层位于所述互连线层与所述再分布层之间，所述介质层的厚度小于预设阈值，以使所述第一对准标记的形貌转移到所述第二对准标记中；所述介质层与所述隔离结构连接成一体。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

所述第一区域与所述第二区域相邻，所述再分布层覆盖所述隔离结构的侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述隔离结构的顶部。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层随形覆盖所述互连线层的第一区域和所述隔离结构，所述阻挡层位于所述再分布层的下方。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括功能区域，所述互连线层的第一区域与所述功能区域电性隔离。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一对准标记包括多个第一子标记，所述第二对准标记包括多个第二子标记；

相邻的所述第一子标记之间的间距为第一间距，相邻的所述第二子标记之间的间距为第二间距，所述第二间距为所述第一间距的80%-98%。

7.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：

提供第一结构，所述第一结构包括互连线层以及隔离结构，所述互连线层包括第一区域和第二区域，所述互连线层的第一区域形成有第一对准标记，所述隔离结构形成于所述互连线层的第二区域；

形成再分布层，所述再分布层随形覆盖所述互连线层的第一区域和所述隔离结构，部分所述再分布层在所述第一对准标记的上方形成第二对准标记；

所述提供第一结构，包括：

提供互连线层；

形成初始隔离层，所述初始隔离层覆盖所述互连线层；

去除位于所述互连线层的第一区域中的部分所述初始隔离层，所述互连线层的第一区域中被保留的所述初始隔离层形成介质层，所述介质层的厚度小于预设阈值，以使所述第一对准标记的形貌转移到所述第二对准标记中；

位于所述互连线层的第二区域中的所述初始隔离层被保留形成所述隔离结构。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一对准标记包括多个第一子标记，所述第二对准标记包括多个第二子标记；

相邻的所述第一子标记之间的间距为第一间距，相邻的所述第二子标记之间的间距为第二间距，所述第二间距为所述第一间距的80%-98%。

9.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成初始隔离层，包括：

沉积隔离材料，形成所述初始隔离层，所述初始隔离层覆盖所述互连线层的顶面，所述初始隔离层的顶面为平面。

10.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法，还包括：

形成阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述隔离结构的顶部，所述阻挡层位于所述隔离结构和所述互连线层之间。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述阻挡层随形覆盖所述互连线层的第一区域和所述隔离结构，所述阻挡层位于所述再分布层下方。

12.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成再分布层之后，还包括：

通过热退火工艺处理所述再分布层。