[发明专利]扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法有效
| 申请号： | 202210407062.9 | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114512464B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈泽;张聪 | 申请（专利权）人： | 甬矽半导体（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 梁晓婷 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该扇出型封装结构包括缓冲层、芯片、塑封体、第一组合布线层和第一焊球，通过设置缓冲层，并将芯片贴附在缓冲层上，然后设置包覆在芯片外的塑封体，缓冲层的热膨胀系数小于塑封体的热膨胀系数，第一焊球与第一组合布线层电连接，第一组合布线层与芯片电连接，实现了扇出型封装。相较于现有技术，本发明通过额外设置缓冲层，且塑封体局部包覆在缓冲层上，缓冲层的热膨胀系数较小，在器件受力时，缓冲层可以优先于塑封体变形，吸收塑封体的结构应力，能够实现产品内部应力的平衡，有效减缓塑封翘曲问题。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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