[发明专利]扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法

权利要求书

1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：

缓冲层；

贴附在所述缓冲层上的芯片；

包覆在所述芯片外的塑封体；

设置在所述缓冲层上的第一组合布线层；

以及设置在所述第一组合布线层上的第一焊球；

其中，所述塑封体局部包覆在所述缓冲层上，且所述缓冲层的热膨胀系数小于所述塑封体的热膨胀系数，所述第一焊球与所述第一组合布线层电连接，所述第一组合布线层与所述芯片电连接，所述芯片设置有焊盘的一侧表面与所述缓冲层相贴合。

2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述缓冲层上设置有容置凹槽，所述容置凹槽的深度大于所述芯片的厚度，所述芯片贴装在所述容置凹槽内，所述塑封体至少覆盖在所述容置凹槽上，所述缓冲层的边缘延伸至外部空间，以使所述缓冲层的侧壁裸露在外。

3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述缓冲层上还设置有填充通孔，所述填充通孔位于所述容置凹槽的至少两侧，所述塑封体覆盖在所述填充通孔上，以使所述塑封体和所述缓冲层交错设置。

4.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述缓冲层上还设置有填充通孔，所述填充通孔位于所述容置凹槽的至少两侧，所述填充通孔内填充形成有导电导热柱。

5.根据权利要求4所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述塑封体远离所述第一组合布线层的一侧还设置有第二组合布线层，所述第二组合布线层上还设置有第二焊球，所述第二焊球与所述第二组合布线层电连接，所述第二组合布线层与所述导电导热柱电连接，所述导电导热柱与所述第一组合布线层电连接。

6.根据权利要求2-5任一项所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述容置凹槽的底壁上设置有贯通至所述第一组合布线层的定位槽，所述定位槽中形成有第一导电柱，所述第一组合布线层与所述第一导电柱的一端连接，所述芯片与所述第一导电柱的另一端连接，以使所述芯片和所述第一组合布线层电连接。

7.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一组合布线层包括第一介质层、第二介质层、第三介质层和线路层，所述第一介质层覆盖在所述缓冲层上，所述第一介质层上设置有与所述第一导电柱对应的第一开口槽，所述第一开口槽内形成有第二导电柱，所述第二介质层覆盖在所述第一介质层上，并设置有与所述第二导电柱对应的第二开口槽，所述第二开口槽内形成有所述线路层，所述线路层与所述第二导电柱连接，所述第三介质层覆盖在所述第二介质层上，且所述第三介质层上设置有第三开口槽，所述第三开口槽内形成有导电层，所述第一焊球设置在所述导电层上。

8.根据权利要求7所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一导电柱的宽度大于所述第二导电柱的宽度。

9.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一组合布线层包括第一介质层、第二介质层和线路层，所述第一介质层上设置有导通至所述第一导电柱的第一开口槽，所述第一开口槽内形成有线路层，所述线路层与所述第一导电柱连接，所述第二介质层覆盖在所述第一介质层上，并设置有导通至所述线路层的第二开口槽，所述第二开口槽内形成有导电层，所述第一焊球设置在所述导电层上。

10.一种扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

在载具上形成缓冲层；

将芯片设置有焊盘的一侧表面贴附在所述缓冲层上；

在所述缓冲层上形成包覆在所述芯片外的塑封体；

去除所述载具，并露出所述缓冲层；

在所述缓冲层上形成第一组合布线层；

在所述第一组合布线层上形成第一焊球；

其中，所述塑封体局部包覆在所述缓冲层上，且所述缓冲层的热膨胀系数小于所述塑封体的热膨胀系数，所述第一焊球与所述第一组合布线层电连接，所述第一组合布线层与所述芯片电连接。