[发明专利]真空键合构件及芯片封装体的制备方法在审

专利信息
申请号: 202210401773.5 申请日: 2022-04-18
公开(公告)号: CN114823469A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 丁晓春;李宗怿;梁新夫;郭良奎;王嘉炜 申请(专利权)人: 长电集成电路(绍兴)有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/48
代理公司: 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 代理人: 黄妍
地址: 312000 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供真空键合构件及芯片封装体的制备方法,所述键合构件包括:吸盘载体和密封垫片;所述吸盘载体具有承载面和非承载面,所述承载面上设有负压吸附通道,所述吸盘载体内设有与所述负压吸附通道相连通的导流通道,所述非承载面上设有抽气通道,使所述抽气通道与所述导流通道相互连通;具有气密通孔的所述密封垫片可拆卸式设置在所述承载面上,使所述气密通孔与所述负压吸附通道互相连通,形成用于承载芯片封装体的承载区;其解决了现有技术中芯片封装体中存在残留键合胶的问题,提高了芯片封装体的可靠性,还降低了原料的成本和解键合的工艺管控成本。
搜索关键词: 真空 构件 芯片 封装 制备 方法
【主权项】:
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