[发明专利]真空键合构件及芯片封装体的制备方法

说明书

本发明提供真空键合构件及芯片封装体的制备方法，所述键合构件包括：吸盘载体和密封垫片；所述吸盘载体具有承载面和非承载面，所述承载面上设有负压吸附通道，所述吸盘载体内设有与所述负压吸附通道相连通的导流通道，所述非承载面上设有抽气通道，使所述抽气通道与所述导流通道相互连通；具有气密通孔的所述密封垫片可拆卸式设置在所述承载面上，使所述气密通孔与所述负压吸附通道互相连通，形成用于承载芯片封装体的承载区；其解决了现有技术中芯片封装体中存在残留键合胶的问题，提高了芯片封装体的可靠性，还降低了原料的成本和解键合的工艺管控成本。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及适用于真空键合构件及芯片封装体的制备方法。

背景技术

现有的工业化生产中，在芯片扇出封装结构的制备工艺中，加装杨氏模量较高的载板作为芯片封装工艺的制程载体，为多层高密度RDL层的制备提供对抗重力的机械支撑力，而载板的加装通常是在载板上贴装一层紫外光键合胶膜，在芯片封装工艺结束后，紫外光与键合胶膜中的感光剂作用，使键合胶膜与载体和芯片封装基体解键合，达到将载板从芯片封装体中分离出来的目的。

但在解键合制程中，通常由于键合胶层的成分不能与紫外光充分发生化学反应，因此在解键合后，芯片封装体上通常残留键合胶，对芯片的信号传输和电源供应及芯片封装体的可靠性具有极为不利的影响。

可见，现有技术中的芯片封装方法存在残留键合胶的问题，对芯片的信号传输和电源供应造成不利影响，降低了芯片封装体的可靠性。

发明内容

针对现有技术中所存在的不足，本发明提供的真空键合构件及芯片封装体的制备方法，其解决了现有技术中芯片封装体中存在残留键合胶的问题，提高了芯片封装体的可靠性，还降低了原料的成本和解键合的工艺管控成本。

第一方面，本发明提供一种真空键合构件，所述键合构件包括：吸盘载体和密封垫片；所述吸盘载体具有承载面和非承载面，所述承载面上设有负压吸附通道，所述吸盘载体内设有与所述负压吸附通道相连通的导流通道，所述非承载面上设有抽气通道，且所述抽气通道与所述导流通道相互连通；所述密封垫片具有气密通孔且可拆卸式设置在所述承载面上，其中所述气密通孔与所述负压吸附通道互相连通，形成用于承载芯片封装体的承载区。

可选地，所述密封垫片包括弹性材料。

第二方面，本发明提供一种芯片封装体的制备方法，所述方法包括：提供真空键合构件；提供一芯片，将所述芯片的无源面放置在所述真空键合构件的承载区，其中，所述芯片的有源面上设置有导电互联柱，所述芯片的无源面是进行精密研磨处理得到的具有镜面效果的晶体硅基面；通过抽气通道对所述真空键合构件进行抽真空处理；在所述导电互联柱上依次制备金属布线层、焊盘、导电柱和锡基合金焊球；通过所述抽气通道解除真空吸附力，去除所述真空键合构件，得到芯片封装体。

可选地，在所述导电互联柱上依次制备金属布线层、焊盘、导电柱和锡基合金焊球，包括：对所述芯片进行塑封料填充形成包封层，使包封层的上表面与所述导电互联柱的顶端在同一水平面；在所述包封层的上表面依次制备金属布线层、焊盘、导电柱和锡基合金焊球。

可选地，在所述导电互联柱上依次制备金属布线层、焊盘、导电柱和锡基合金焊球之后，所述方法还包括：在所述锡基合金焊球上贴覆保护膜。

第三方面，本发明提供一种芯片封装体的制备方法，所述方法包括：提供真空键合构件；提供一金属箔，将所述金属箔覆盖在所述真空键合构件的承载区；通过抽气通道对所述真空键合构件进行抽真空处理；在所述金属箔上制备金属布线层，使芯片有源面上的导电互联柱与所述金属布线层导通互联；通过所述抽气通道解除真空吸附力，去除所述真空键合构件，得到预封装体；在所述预封装体上的金属箔表面制备导电柱和锡基合金焊球，得到芯片封装体。

可选地，在通过所述抽气通道解除真空吸附力之前，所述方法还包括：对所述芯片进行塑封料填充形成包封层，使所述包封层的上表面与所述芯片的无源面在同一水平面。