[发明专利]真空键合构件及芯片封装体的制备方法

权利要求书

1.一种真空键合构件，其特征在于，所述键合构件包括：

吸盘载体和密封垫片；

所述吸盘载体具有承载面和非承载面，所述承载面上设有负压吸附通道，所述吸盘载体内设有与所述负压吸附通道相连通的导流通道，所述非承载面上设有抽气通道，且所述抽气通道与所述导流通道相互连通；

所述密封垫片具有气密通孔且可拆卸式设置在所述承载面上，其中所述气密通孔与所述负压吸附通道互相连通，形成用于承载芯片封装体的承载区。

2.如权利要求1所述的真空键合构件，其特征在于，所述密封垫片包括弹性材料。

3.一种芯片封装体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供权利要求1或2所述的真空键合构件；

提供一芯片，将所述芯片的无源面放置在所述真空键合构件的承载区，其中，所述芯片的有源面上设置有导电互联柱，所述芯片的无源面是进行精密研磨处理得到的具有镜面效果的晶体硅基面；

通过抽气通道对所述真空键合构件进行抽真空处理；

在所述导电互联柱上依次制备金属布线层、焊盘、导电柱和锡基合金焊球；

通过所述抽气通道解除真空吸附力，去除所述真空键合构件，得到芯片封装体。

4.如权利要求3所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，在所述导电互联柱上依次制备金属布线层、焊盘、导电柱和锡基合金焊球，包括：

对所述芯片进行塑封料填充形成包封层，使包封层的上表面与所述导电互联柱的顶端在同一水平面；

在所述包封层的上表面依次制备金属布线层、焊盘、导电柱和锡基合金焊球。

5.如权利要求3所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，在所述导电互联柱上依次制备金属布线层、焊盘、导电柱和锡基合金焊球之后，所述方法还包括：

在所述锡基合金焊球上贴覆保护膜。

6.一种芯片封装体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供权利要求1或2所述的真空键合构件；

提供一金属箔，将所述金属箔覆盖在所述真空键合构件的承载区；

通过抽气通道对所述真空键合构件进行抽真空处理；

在所述金属箔上制备金属布线层，使芯片有源面上的导电互联柱与所述金属布线层导通互联；

通过所述抽气通道解除真空吸附力，去除所述真空键合构件，得到预封装体；

在所述预封装体上的金属箔表面制备导电柱和锡基合金焊球，得到芯片封装体。

7.如权利要求6所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，在通过所述抽气通道解除真空吸附力之前，所述方法还包括：

对所述芯片进行塑封料填充形成包封层，使所述包封层的上表面与所述芯片的无源面在同一水平面。

8.如权利要求7所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，在对所述芯片进行塑封料填充形成包封层之前，所述方法还包括：

对所述导电互联柱进行底部填充，得到底填胶层。

9.如权利要求7所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，在所述预封装体上的金属箔表面制备导电柱和锡基合金焊球，得到芯片封装体，包括：

在所述预封装体上的金属箔表面制备一层有机保焊膜；

对所述有机保焊膜分别进行光刻开口、清洗和电镀铜工艺制备导电柱和锡基合金焊球，得到所述芯片封装体。

10.如权利要求7所述的芯片封装体的制备方法，其特征在于，密封垫片的材料包括有机硅胶；或/和，金属箔包括铜箔；或/和，包封层的材料包括环氧树脂。