[发明专利]一种T型底部保护的沟槽型碳化硅MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 202210401050.5 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114496785B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 张益鸣 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳卓启知识产权代理有限公司 44729 | 代理人： | 刘新子 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种T型底部保护的沟槽型碳化硅MOSFET及其制备方法，其包括：漏极（10），碳化硅衬底（9），碳化硅N外延（8）；碳化硅N外延（8）内部上方左侧包括Ppluswell区（5）和Ppluswell区（5）的上方的第一N+区（3）；沟槽区（11）；绝缘介质隔离层（2）；源极（1）。本发明通过施加注入缓冲层，形成Ppluswell包Pwell的形貌，而后对Ppluswell区选择性刻得到碳化硅沟槽，且两沟槽间保留一个Ppluswell，沟槽底部保留了部分Ppluswell，完整的Ppluswell用于形成源极；在氮化硅侧壁保护下，对残留的Ppluswell进行加浓注入，形成PplusBottom，此处的PplusBottom通过边缘未刻蚀的Ppluswwell同源极相连接；未被刻蚀的Ppluswell形成源极，同PplusBottom对碳化硅N外延进行耗尽，对漂移区耗尽，避免过高的电场冲击拐角处栅氧及Pwell，提高器件耐压水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 保护 沟槽 碳化硅 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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