[发明专利]一种T型底部保护的沟槽型碳化硅MOSFET及其制备方法

权利要求书

1.一种T型底部保护的沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：

漏极（10），位于所述漏极（10）上方的碳化硅衬底（9），位于所述碳化硅衬底（9）上方的碳化硅N外延（8）；所述碳化硅N外延（8）内部上方左侧包括Ppluswell区（5），所述Ppluswell区（5）的两侧分别包括第一Pwell区（41）和第二Pwell区（42），所述第一Pwell区（41）和Ppluswell区（5）的上方包括第一N+区（3），所述第二Pwell区（42）和Ppluswell区（5）的上方包括第二N+区，所述第一Pwell区（41）和Ppluswell区（5）的右侧包括沟槽区（11），所述沟槽区（11）包括自下而上的PplusBottom区（6）、栅氧区和多晶硅区（7），所述沟槽区（11）的上方包括绝缘介质隔离层（2），所述绝缘介质隔离层（2）的上方包括源极（1）；

其中，所述PplusBottom区（6）的沟槽深度大于所述Ppluswell区（5）的沟槽深度，所述PplusBottom区（6）的宽度大于所述沟槽区（11）的宽度相同，且所述PplusBottom区（6）与所述沟槽区（11）的下部区域部分重叠。

2.根据权利要求1所述的T型底部保护的沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于，所述第一Pwell区（41）、Ppluswell区（5）、第二Pwell区（42）与所述沟槽区（11）侧壁依次相接，且依次重复设置在所述碳化硅N外延（8）的内部上方。

3.根据权利要求1所述的T型底部保护的沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于，所述沟槽区（11）包括栅氧区，且所述栅氧区半环形包覆所述多晶硅区（7）。

4.一种根据权利要求1-3任一项所述的T型底部保护的沟槽型碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

将多晶硅沉积注入缓冲层（12），并对所述缓冲层（12）选择性刻蚀，多次高温注入Al离子，得到深度小于沟槽深度的第一Pwell区（41）和第二Pwell区（42），和深度大于沟槽深度的Ppluswell区（5）；

沉积刻蚀掩膜层（13），对Ppluswell区（5）进行选择性刻蚀；

沉积二氧化硅或氮化硅做为侧壁注入保护层（14），并进行无掩膜刻蚀，而后进行高温Al离子加浓注入，此时的刻蚀掩膜层（13）充当注入掩膜层，侧壁保护层（14）防止Al离子对侧壁进行注入；

沉积碳化硅并对其进行无掩膜版干法刻蚀，得到具有碳化硅保护层（35）的沟槽，选择玻璃制剂对上述结构进行填充，流平后进行选择性刻蚀，选择性注入N+，去除掩膜层，沉积碳膜，并高温退火；

对上述结构进行栅氧，多晶硅区（7）的制备，并沉积绝缘介质隔离层（2），而后定义源极（1）与栅极及漏极（10），得到具有T型结构的Ppluswell区（5）和PplusBottom区（6）的沟槽型碳化硅MOSFET。