[发明专利]一种底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 202210401048.8 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114496784B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张益鸣 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳卓启知识产权代理有限公司 44729 | 代理人： | 刘新子 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET及其制备方法，其包括：漏极（11），碳化硅衬底（10），碳化硅N外延（9）；碳化硅N外延（9）内部上方左侧的Pwell区（5）、中侧的沟槽区（12）、右侧的Ppluswell区（6）；绝缘介质隔离层（2）以及源极（1）。本发明包含Pwell，Ppluswell及PBottomPlus，Pwell和Ppluswell在注入缓冲层的作用下可以使Ppluswell保留了较浓且深的掺杂，兼顾Vth调整及耐击穿的调整；选择性同时刻蚀Pwell和Ppluswell区，得到的沟槽两侧分别是Pwell和Ppluswell，沟槽底部一侧保留部分Ppluswell的区域；基于侧壁保护层，对沟槽底部的Ppluswell进行加浓注入，得到浓掺杂且较深的PBottomPlus；沟槽底部保留的Ppluswell与PBottomPlus具有良好电气连接，保证了相邻的PBottomPlus区域可以接地，夹断Pwell和PlusWell间的强电场，保护拐角处的栅氧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 保护 接地 沟槽 碳化硅 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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