[发明专利]一种底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET及其制备方法

权利要求书

1.一种底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：

漏极（11），位于所述漏极（11）上方的碳化硅衬底（10），位于所述碳化硅衬底（10）上方的碳化硅N外延（9）；所述碳化硅N外延（9）内部上方左侧包括Pwell区（5），所述Pwell区（5）上方包括一个N+区（3），所述碳化硅N外延（9）内部上方中侧包括沟槽区（12），所述沟槽区（12）包括自下而上的PBottomplus区（7）、栅氧区（4）和多晶硅区（8），所述碳化硅N外延（9）内部上方右侧包括Ppluswell区（6），所述栅氧区（4）和多晶硅区（8）的上方包括绝缘介质隔离层（2），所述绝缘介质隔离层（2）的上方包括源极（1）；

其中，所述N+区（3）、所述沟槽区（12）以及所述Ppluswell区（6）的深度依次从低到高，所述PBottomplus区（7）的宽度小于栅氧区（4）的宽度。

2.根据权利要求1所述的底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于，所述N+区（3）、所述沟槽区（12）以及所述Ppluswell区（6）依次侧壁相接，且依次重复设置在所述碳化硅N外延（9）的内部上方。

3.根据权利要求1所述的底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于，所述Ppluswell区（6）的下部与所述栅氧区（4）和PBottomplus区（7）均侧壁相接。

4.根据权利要求1所述的底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于，所述栅氧区（4）半环形包覆所述多晶硅区（8）。

5.根据权利要求4所述的底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET，其特征在于，所述栅氧区（4）下部与所述PBottomplus区（7）上部相接。

6.一种根据权利要求1-5任一项所述的底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

通过沉积注入缓冲层（13），并对其选择性刻蚀，注入缓冲层（13）的厚度决定了Pwell区（5）的注入深度，注入缓冲层（13）选择多晶硅；

通过Al离子多次高温注入，得到深度浅于沟槽区（12）沟槽深度的Pwell区（5）和深度大于沟槽区（12）沟槽深度的Ppluswell区（6）；

保留缓冲层（13），沉积碳化硅刻蚀掩膜层（14）并开孔，开孔区位于Pwell区（5）及Ppluswell区（6）之间，对碳化硅进行刻蚀，形成碳化硅沟槽，沟槽的深度小于Ppluswell区（6）的深度；

沉积碳化硅并对其进行无掩膜版干法刻蚀，得到具有侧壁保护层（15）的沟槽；

进行Al离子加浓注入，形成PBottomplus区（7），该PBottomplus区（7）与Ppluswell区（6）完全短接；

清除掩膜层（14），沉积新的注入掩膜层，选择性进行N+注入形成N+区（3），清除掩膜层，并沉积碳膜对其进行高温退火，随后清除碳膜；

制备栅氧区（4）和多晶硅区（8）；

随后进行隔离层沉积，开孔定义源极（1），栅极及漏极（11），得到所述底部保护接地沟槽型碳化硅MOSFET。