[发明专利]一种接触孔接触电阻测试结构在审
| 申请号： | 202210395915.1 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114899117A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 张婷;杨作东;彭翔;唐小亮;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种接触孔接触电阻测试结构，所述结构包括第一测试结构和第二测试结构，第一测试结构包括形成于半导体衬底中且阵列排列的第一有源区，第一有源区的两端分别设有第一接触孔，每行中的第一有源区通过第一接触孔相连形成行链条，行链条间通过所述第一接触孔相连形成串联的第一链条结构；第二测试结构包括形成于半导体衬底中且阵列排列的第二有源区，第二有源区的两端分别设有第二接触孔，每列中的第二有源区通过第二接触孔相连形成列链条，列链条间通过第二接触孔相连形成串联的第二链条结构。利用本发明的测试结构可以直接从电阻值判断靠近浅沟道隔离区的接触孔与有源区SiGe是否接触良好，同时监测两个方向的接触孔相对有源区的漂移情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 电阻 测试 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
