[发明专利]一种接触孔接触电阻测试结构

权利要求书

1.一种接触孔接触电阻测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括第一测试结构和第二测试结构，

所述第一测试结构包括形成于半导体衬底中且阵列排列的第一有源区，所述第一有源区的两端分别设有第一接触孔，每行中的所述第一有源区通过所述第一接触孔相连形成行链条，所述行链条间通过所述第一接触孔相连形成串联的第一链条结构，所述第一链条结构的两端为第一测试端口；

所述第二测试结构包括形成于所述半导体衬底中且阵列排列的第二有源区，所述第二有源区的两端分别设有第二接触孔，每列中的所述第二有源区通过所述第二接触孔相连形成列链条，所述列链条间通过所述第二接触孔相连形成串联的第二链条结构，所述第二链条结构的两端为第二测试端口。

2.根据权利要求1所述的接触孔接触电阻测试结构，其特征在于：所述第一有源区之间设有第一浅沟道隔离区，所述第二有源区之间设有第二浅沟道隔离区。

3.根据权利要求1所述的接触孔接触电阻测试结构，其特征在于：所述第一测试结构中，每行中的所述第一有源区通过所述第一接触孔之间的第一金属层相连形成行链条，所述行链条间通过所述第一金属层相连形成串联的第一链条结构。

4.根据权利要求1所述的接触孔接触电阻测试结构，其特征在于：所述第二测试结构中，每列中的所述第二有源区通过所述第二接触孔之间的第二金属层相连形成列链条，所述列链条间通过所述第二金属层相连形成串联的第二链条结构。

5.根据权利要求1所述的接触孔接触电阻测试结构，其特征在于：所述第一有源区上形成有第一多晶硅层。

6.根据权利要求5所述的接触孔接触电阻测试结构，其特征在于：所述第一多晶硅层两侧的所述第一有源区中设有第一SiGe源区和第一SiGe漏区，所述第一接触孔设置在所述第一SiGe源区和第一SiGe漏区上。

7.根据权利要求6所述的接触孔接触电阻测试结构，其特征在于：所述第一SiGe源区和第一SiGe漏区表面还形成有第一自对准硅化物层。

8.根据权利要求1所述的接触孔接触电阻测试结构，其特征在于：所述第二有源区上形成有第二多晶硅层。

9.根据权利要求8所述的接触孔接触电阻测试结构，其特征在于：所述第二多晶硅层两侧的所述第二有源区中设有第二SiGe源区和第二SiGe漏区，所述第二接触孔设置在所述第二SiGe源区和第二SiGe漏区上。

10.根据权利要求9所述的接触孔接触电阻测试结构，其特征在于：所述第二SiGe源区和第二SiGe漏区表面还形成有第二自对准硅化物层。