[发明专利]共享接触孔制造方法在审
| 申请号： | 202210395913.2 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114899145A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 曹欣雨;曹坚;张亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共享接触孔制造方法，所述共享接触孔由先后制造的接触孔A和接触孔B共同组成，接触孔A形成后利用无定形碳或SOC或SOC将其填充满，再制造接触孔B，去除剩余无定形碳或SOC或SOC，在SRAM区域形成由接触孔A和接触孔B共同组成的最终共享接触孔。本发明通过在接触孔A形成之后增加沉积无定型碳或SOC方法来保护共享接触孔不会被二次刻蚀影响，利用无定型碳或SOC与接触孔B的高刻蚀选择比保护接触孔A免于二次刻蚀，保护SiGe不被刻穿的同时，又能保证共享接触孔本身形貌符合要求，增大了刻蚀工艺窗口，提高了PMOS的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 共享 接触 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
