[发明专利]共享接触孔制造方法在审
| 申请号： | 202210395913.2 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114899145A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 曹欣雨;曹坚;张亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共享 接触 制造 方法 | ||
1.一种共享接触孔制造方法，其特征在于：所述共享接触孔由先后制造的接触孔A和接触孔B共同组成，接触孔A形成后利用无定形碳或SOC或SOC将其填充满，再制造接触孔B，去除剩余无定形碳或SOC或SOC，在SRAM区域形成由接触孔A和接触孔B共同组成的最终共享接触孔。
2.如权利要求1所述的共享接触孔制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在金属栅极形成后淀积防止金属扩散层，再淀积层间介质层；
S2，使用光罩A进行光刻，形成接触孔A的图形，采用干法刻蚀，形成接触孔A的最终图形；
S3，淀积无定形碳或SOC，使无定形碳或SOC完全覆盖接触孔A并超出层间介质层表面指定高度；
S4，刻蚀掉无定形碳或SOC，刻蚀停止在层间介质层上；
S5，使用光罩B光刻，形成接触孔B的图形，刻蚀形成接触孔B的最终图形，SRAM区域形成由接触孔A和接触孔B共同组成的共享接触孔；
S6，采用氧气灰化工艺去除上述接触孔A内的无定形碳或SOC。
3.如权利要求2所述的共享接触孔制造方法，其特征在于：步骤S1中，淀积氧化硅作为防止金属扩散层。
4.如权利要求2所述的共享接触孔制造方法，其特征在于：步骤S1中，淀积二氧化硅作为层间介质层。
5.如权利要求2所述的共享接触孔制造方法，其特征在于：步骤S4中，利用干法回刻工艺、化学机械研磨(CMP)或湿法刻蚀刻蚀掉无定形碳或SOC。
6.如权利要求2所述的共享接触孔制造方法，其特征在于：步骤S5中，采用干法刻蚀形成接触孔B的最终图形。
7.如权利要求2所述的共享接触孔制造方法，其特征在于：步骤S6中，采用氧气灰化工艺或湿法刻蚀去除上述接触孔A内的无定形碳或SOC。
8.如权利要求2所述的共享接触孔制造方法，其特征在于：步骤S3中，淀积无定形碳或SOC高度超出层间介质层大于200埃。
9.如权利要求2所述的共享接触孔制造方法，其特征在于：步骤S4中，刻蚀后无定型碳或SOC的表面各处高度差范围小于100埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
