[发明专利]共享接触孔制造方法

说明书

本发明公开了一种共享接触孔制造方法，所述共享接触孔由先后制造的接触孔A和接触孔B共同组成，接触孔A形成后利用无定形碳或SOC或SOC将其填充满，再制造接触孔B，去除剩余无定形碳或SOC或SOC，在SRAM区域形成由接触孔A和接触孔B共同组成的最终共享接触孔。本发明通过在接触孔A形成之后增加沉积无定型碳或SOC方法来保护共享接触孔不会被二次刻蚀影响，利用无定型碳或SOC与接触孔B的高刻蚀选择比保护接触孔A免于二次刻蚀，保护SiGe不被刻穿的同时，又能保证共享接触孔本身形貌符合要求，增大了刻蚀工艺窗口，提高了PMOS的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种共享接触孔制造方法。

背景技术

在现今的半导体工艺中，源漏区镶嵌SiGe应变技术被广泛用于提高PMOS的速度，施加在沟道的压应力可以有效提高空穴迁移率，从而提升PMOS的性能。

随着半导体相关制造工艺的发展，集成电路芯片按照比例尺寸缩小的趋势，接触孔(Contact，CT)工艺难度随之增加，因此在更先进的工艺中往往会采用双层曝光(doublepatterning)工艺，将一张掩模板(mask)拆分为两张甚至多张，比如常见的接触孔层mask会拆分为连接有源区的mask A和连接栅极的mask B，分别进行光刻、刻蚀形成所需要的图形，完成图形拆分。在静态随机存储单元(SRAM)中，存在共享接触孔(shared CT)的结构，这种结构首先基于mask A刻蚀出接触孔A，再基于mask B刻蚀出接触孔B，在接触孔B刻蚀过程中容易导致接触孔A被二次刻蚀，底部SiGe被刻穿，参考图1所示，SiGe产生的压应力被释放，从而影响到PMOS的性能。

因此，如何在保证shared CT被刻蚀完全的同时，不会造成底部SiGe被刻穿的负面影响，是接触孔工艺里的工艺难点。目前的常用做法是通过调节刻蚀工艺来减轻接触孔的二次刻蚀，但是这种方法的缺点是刻蚀工艺窗口较小，增加了刻蚀的难度。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种在共享接触孔制造过程中，能避免二次刻蚀影响，保护SiGe不被损伤同时能保证共享接触孔形貌的共享接触孔制造方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的共享接触孔制造方法，所述共享接触孔由先后制造的接触孔A和接触孔B共同组成，接触孔A形成后利用无定形碳或SOC或SOC将其填充满，再制造接触孔B，去除剩余无定形碳或SOC或SOC，在SRAM区域形成由接触孔A和接触孔B共同组成的最终共享接触孔。

可选择的，进一步改进所述的共享接触孔制造方法，包括以下步骤：

S1，在金属栅极形成后淀积防止金属扩散层，再淀积层间介质层；

S2，使用光罩A进行光刻，形成接触孔A的图形，采用干法刻蚀，形成接触孔A的最终图形；

S3，淀积无定形碳或SOC，使无定形碳或SOC完全覆盖接触孔A并超出层间介质层表面指定高度；

S4，刻蚀掉无定形碳或SOC，刻蚀停止在层间介质层上；

S5，使用光罩B光刻，形成接触孔B的图形，刻蚀形成接触孔B的最终图形，SRAM区域形成由接触孔A和接触孔B共同组成的共享接触孔；

S6，采用氧气灰化工艺去除上述接触孔A内的无定形碳或SOC。

可选择的，进一步改进所述的共享接触孔制造方法，步骤S1中，淀积氧化硅作为防止金属扩散层。

可选择的，进一步改进所述的共享接触孔制造方法，步骤S1中，淀积二氧化硅作为层间介质层。