[发明专利]一种制造沟槽MOSFET的方法在审
| 申请号： | 202210380606.7 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114496762A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 王加坤;姚兆铭 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种制造沟槽MOSFET的方法，包括：对半导体基底生长一层热氧化层、沉积硬掩膜以及刻蚀形成从半导体上表面延伸至其内部的沟槽；于沟槽内形成侧氧化层；于沟槽注入硬掩膜；在沟槽中形成覆盖沟槽的底部和下部侧壁的屏蔽导体；将热氧化层去除；进行湿法刻蚀，以去除侧氧化层；于沟槽上方沉积氧化层；刻蚀氧化层,使氧化层的上表面低于屏蔽导体的上表面；于沟槽内、氧化层上方生成栅介质层和栅极导体，栅介质层位于沟槽的上部侧壁，且将栅极导体与半导体基底隔开；以及于半导体基底形成体区、源区以及漏极电极。本发明通过改善了多晶栅形貌，进而优化器件的质量因子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 沟槽 mosfet 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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