[发明专利]一种制造沟槽MOSFET的方法

权利要求书

1.一种制造沟槽MOSFET的方法，其特征在于，包括：

对半导体基底生长一层热氧化层、沉积硬掩膜以及刻蚀形成从半导体上表面延伸至其内部的沟槽；

于所述沟槽内形成侧氧化层；

于所述沟槽注入硬掩膜；

在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的底部和下部侧壁的屏蔽导体，其中所述硬掩膜将所述屏蔽导体与所述半导体基底隔开；

将所述热氧化层去除；

进行湿法刻蚀，以去除所述沟槽上部的所述侧氧化层；

于所述沟槽上方沉积氧化层，其中所述氧化层覆盖所述侧氧化层和所述硬掩膜，且所述氧化层相邻于所述屏蔽导体；

刻蚀所述氧化层,使所述氧化层的上表面低于所述屏蔽导体的上表面；

于所述沟槽内的所述氧化层上方生成栅介质层和栅极导体，所述栅介质层位于所述沟槽的上部侧壁，且将所述栅极导体与所述半导体基底隔开；以及

于所述半导体基底形成体区、源区以及漏极电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，于所述沟槽内形成所述侧氧化层的步骤包括:通过热氧化法和化学气相沉积形成所述侧氧化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的底部和下部侧壁的所述屏蔽导体的步骤包括:

于快速热退火后,沉积多晶硅作为所述屏蔽导体。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述热氧化层去除的步骤包括:进行化学机械平坦化，以将所述热氧化层去除。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基底包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的外延半导体层，其中，所述沟槽位于所述外延半导体层中。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽导体和所述栅极导体分别为采用低压化学气相沉积形成的多晶硅层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅介质层为采用热氧化形成的氧化层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述源区在所述体区中形成，且为第一掺杂类型；

所述体区在所述半导体基底邻近所述沟槽的上部区域中形成，为第二掺杂类型，其中所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反，其中所述第一掺杂类型为N型和P型之一，所述第二掺杂类型为N型和P型中另一个；以及

所述漏极电极在所述半导体衬底的第二表面形成，所述第二表面与所述上表面彼此相对。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述源区之后，所述方法还包括：

在所述源区上方形成层间介质层；以及

在层间介质层上方形成源极电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述源极电极之前，所述方法还包括：

在所述体区中形成第二掺杂类型的体接触区；以及

穿透所述层间介质层以及源区到达所述体接触区的导电通道，所述源极电极经由所述导电通道连接至所述体接触区。