[发明专利]一种使永磁体中性磁层产生偏移的方法及准单极永磁体在审
| 申请号： | 202210378420.8 | 申请日： | 2022-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114765087A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 孙立生;黄昱铖 | 申请（专利权）人： | 孙立生 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;H01F41/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210005 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种具有准单极特征的永磁体，永磁体的S/N极的两极整体的磁场强度明显的不再对称，(用观磁片测量)一极S或N的磁场强度所有的点面能均匀的高出反面N或S另一极磁场表磁磁场强度达20％以上。具有准单极特征的永磁体时，中性层的一个极薄区域不会在永磁体两极的中央，而是明显偏向了磁体做功的反向一侧，偏移的距离是永磁体长度的15％‑45％之间。当磁粉料压制成坯时，采用施加取向场的成型工艺，强磁场的产生利用两组线圈各自对成型模腔里的磁粉料施加方向相反、且大小不同的外加磁场磁力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 永磁体 中性 产生 偏移 方法 单极 | ||
【主权项】：
暂无信息
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