[发明专利]一种使永磁体中性磁层产生偏移的方法及准单极永磁体

权利要求书

1.一种具有准单极特征的永磁体，其特征是，S/N极的两极整体的磁场强度明显的不再对称，(用观磁片测量)一极S或N的磁场强度所有的点面能均匀的高出反面N或S另一极磁场表磁磁场强度达20％以上。

2.根据权利要求1所述的具有准单极特征的永磁体，其特征是，具有准单极特征的永磁体时，中性层的一个极薄区域不会在永磁体两极的中央，而是明显偏向了磁体做功的反向一侧，偏移的距离是永磁体长度的15％-45％之间。

3.根据权利要求1、2所述的具有准单极特征的永磁体，其特征是：所述的永磁体是铁氧体永磁体、钕铁硼永磁体或钐钴永磁体。

4.一种根据权利要求1-3之一使永磁体取向场中性磁层产生偏移的方法，其特征是，永磁体制备时，当磁粉料压制成坯时，采用施加取向场的成型工艺，即在磁粉成坯时在一个强磁场中进行取向压制，利用两组线圈各自对成型模腔里的磁粉料施加方向相反、且不大小同的外加磁场磁力，导磁棒体充磁头位于取向线圈和小功率反极性磁场产生线圈的中央。

5.根据权利要求4所述的使永磁体取向场中性磁层产生偏移的方法，其特征是，取向线圈始终用于最大功率输出，而另一端对应的线圈则作为专用反向异性吸引磁场的使用，功率较小但电压调整范围很宽，压制磁体毛坯时用以包裹磁粉的不导磁成形模套，模套内包括有厚度相同或不同的用以均匀磁场的不导磁片体。

6.根据权利要求5所述的使永磁体取向场中性磁层产生偏移的方法，其特征是，取向场磁场强度对压制磁体毛坯时大小不等，在生产过程中用高斯计对成形模套外壁某一设定点的0值作为监控的依据。

7.根据权利要求4-6之一所述的使永磁体取向场中性磁层产生偏移的方法，其特征是，根据成形磁体表磁波形分布的均匀程度，作出增减均磁片(6)或(7)厚薄的设置依据，以扫描磁瓦或磁体的波形呈现方波状态为佳，均磁片过厚时将会大大削弱取向磁场对磁粉产生的致密力度，所以不使用均磁片或是单一使用均磁片压制也是在本申请的实施范围之内，并且只在一端利用均磁片的厚薄调节磁场中性层面偏移也在专利保护范围之列。

8.根据权利要求4-6所述的使永磁体取向场中性磁层产生偏移的方法，其特征是，强磁体的一端是平面或是与所需磁体形状反向对应的各种异型形状，考虑到实验室实施时脱模的难度，将模套随强磁体一同烧结成形后再取出，用于注塑磁粘接永磁体的批量生产。

9.根据权利要求4-6所述的使永磁体取向场中性磁层产生偏移的方法，其特征是，应用反向施加磁场引力的方法，用于对现有单线包多腔取向压制的铁氧体磁瓦模具进行改造，由于线包的功率要求较小，所以在上下模吸水板处增设一组专用线圈用于给吸水板对模压充头产生反向磁吸引力，该线圈电流的大小可以根据磁瓦成品的性能检测，或是在模板上开孔设置中性极层的检测位置。