[发明专利]有源层结构、阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 202210359566.8 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN115207131A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 彭诗元 | 申请（专利权）人： | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 王朝云 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种有源层结构、阵列基板及其制备方法。所述有源层结构包括二硫化钼层以及所述二硫化钼层表面的修饰层；所述修饰层的材料包括含二硫键聚合物。本申请的有源层结构，通过在二硫化钼的表面连接修饰层，可以有效减少二硫化钼表面的硫残基，进而减少二硫化钼的电荷不良的问题；同时，修饰层可以提高二硫化钼有源层与其他层之间的接着力。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 结构 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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