[发明专利]有源层结构、阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 202210359566.8 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN115207131A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 彭诗元 | 申请（专利权）人： | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 王朝云 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有源 结构 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种有源层结构，其特征在于，包括二硫化钼层以及所述二硫化钼层表面的修饰层；所述修饰层的材料包括含二硫键聚合物。
2.根据权利要求1所述的有源层结构，其特征在于，所述含二硫键聚合物通过二硫键与所述二硫化钼层表面的硫残基进行交换反应而连接在所述二硫化钼层的表面上。
3.根据权利要求1所述的有源层结构，其特征在于，所述含二硫键聚合物为硫辛酸聚合物。
4.一种阵列基板，其特征在于，包括玻璃基板，以及形成于所述玻璃基板上的有源层；所述有源层包括二硫化钼层以及所述二硫化钼层表面的修饰层；所述修饰层的材料包括含二硫键聚合物。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述含二硫键聚合物通过二硫键与所述二硫化钼层表面的硫残基进行交换反应而连接在所述二硫化钼层的表面上。
6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一玻璃基板，采用有源层混合溶液置于所述玻璃基板上，热处理，后在所述玻璃基板上形成有源层；
其中，所述有源层混合溶液包括含二硫键聚合物修饰的二硫化钼，其中的含二硫键聚合物连接在二硫化钼的表面。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层混合溶液的制备包括如下步骤：
将含二硫键聚合物与二硫化钼混合，反应，所述含二硫键聚合物通过二硫键连接在所述二硫化钼的表面，得到有源层混合溶液。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述含二硫键聚合物的制备包括如下步骤：
将硫辛酸和聚乙烯亚胺混合，进行反应生成含二硫键聚合物，得到聚合物混合物。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述聚合物混合物的固含量为10～30wt％；和/或，所述有源层混合溶液中的固含量为30～40wt％。
10.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为110～130℃，所述热处理的时间为1～3小时。
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