[发明专利]有源层结构、阵列基板及其制备方法

说明书

本申请公开了一种有源层结构、阵列基板及其制备方法。所述有源层结构包括二硫化钼层以及所述二硫化钼层表面的修饰层；所述修饰层的材料包括含二硫键聚合物。本申请的有源层结构，通过在二硫化钼的表面连接修饰层，可以有效减少二硫化钼表面的硫残基，进而减少二硫化钼的电荷不良的问题；同时，修饰层可以提高二硫化钼有源层与其他层之间的接着力。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种有源层结构、阵列基板及其制备 方法。

背景技术

液晶显示技术作为当今信息化社会的重要特征之一，其技术的发展日新月 异，各种显示技术被广泛应用在人类生活的各个方面，比如手机、平板电脑、 电视、车载及穿戴设备等各个方面。液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以 及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，呈现阵列排布的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是组成阵列基板的重要元件。

二硫化钼作为过渡金属硫化物是一种典型的二维材料，因为其独特的单层 原子结构和优异的光电特质，被认为是最有希望替代硅，成为未来应用在半导 体、晶体管和芯片等高精尖科技领域中的理想材料之一，也可以作为有源层构 建TFT器件。但是，现有的机械剥离法主要是基于二硫化钼和衬底之间的范 德华力，导致所形成的薄层材料接着性差、产率较低，无法形成易于构建 MoS₂-TFT器件的有源层。除此之外，单纯的MoS₂边缘含有丰富的S残基， 容易与空气中的氧气等发生反应产生电荷，降低器件的开关电流比，增大TFT 器件的阈值电压。

因此，亟需提供一种新型的有源层结构，以解决有源层接着力差和电学不 良的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种有源层结构，通过在二硫化钼的表面连接修饰 层，可以有效减少二硫化钼表面的硫残基，同时提高二硫化钼有源层的接着力。

本申请实施例提供一种有源层结构，包括二硫化钼(MoS₂)层以及所述 二硫化钼(MoS₂)层表面的修饰层；所述修饰层的材料包括含二硫键(S-S) 聚合物。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述含二硫键聚合物通过二硫键(S-S) 与所述二硫化钼层表面的硫残基进行交换反应而连接在所述二硫化钼层的表 面上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述含二硫键(S-S)聚合物可以为 硫辛酸聚合物。例如，所述硫辛酸聚合物的材料包括硫辛酸(LA)和聚乙烯 亚胺(PEI)。

相应的，本申请实施例还提供一种阵列基板，包括玻璃基板，以及形成于 所述玻璃基板上的有源层；所述有源层包括二硫化钼(MoS₂)层以及所述二 硫化钼(MoS₂)层表面的修饰层；所述修饰层的材料包括含二硫键(S-S)聚 合物。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述含二硫键聚合物通过二硫键(S-S) 与所述二硫化钼层表面的硫残基进行交换反应而连接在所述二硫化钼层的表 面上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述含二硫键(S-S)聚合物为硫辛 酸聚合物。所述硫辛酸聚合物的材料包括硫辛酸(LA)和聚乙烯亚胺(PEI)。

此外，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

提供一玻璃基板，采用有源层混合溶液置于所述玻璃基板上，热处理，后 在所述玻璃基板上形成有源层；

其中，所述有源层混合溶液包括含二硫键(S-S)聚合物修饰的二硫化钼， 其中的含二硫键(S-S)聚合物连接在二硫化钼的表面。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层材料的制备包括如下步骤：