[发明专利]集成电路封装件的形成方法在审
| 申请号： | 202210348276.3 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN114695272A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 吴逸文;郭宏瑞;何明哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L23/31;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了集成电路封装件的形成方法。该方法包括：在载体上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上方形成第一再分布层(RDL)；在所述第一绝缘层和所述第一再分布层上方形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上方形成第二再分布层；将集成电路管芯的第一面附接到所述第二绝缘层；在所述集成电路管芯上方和周围形成第三绝缘层；在所述第三绝缘层中同时形成导电通孔和第三再分布层；以及去除所述载体以暴露所述第一绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
