[发明专利]集成电路封装件的形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路封装件的方法，包括：

在载体上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方形成第一再分布层(RDL)；

在所述第一绝缘层和所述第一再分布层上方形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上方形成第二再分布层，所述第二再分布层的最上表面在所述第二绝缘层的最上表面之上，所述第二再分布层的部分延伸穿过所述第二绝缘层并且物理接触所述第一再分布层；

将集成电路管芯的第一面附接到所述第二绝缘层，所述集成电路管芯的第二面具有连接件件，所述集成电路管芯的第一面与所述集成电路管芯的第二面相对；

在将所述集成电路管芯的第一面附接到所述第二绝缘层之后，在所述集成电路管芯上方和周围形成第三绝缘层，所述第三绝缘层与所述第二再分布层的最上表面和所述第二绝缘层的最上表面物理接触；

在所述第三绝缘层中同时形成导电通孔和第三再分布层，所述导电通孔的侧壁面对所述集成电路管芯的侧壁，所述导电通孔的顶面低于所述第三绝缘层的最上表面，所述第三再分布层与连接件物理接触，其中在所述第三绝缘层中同时形成所述导电通孔和所述第三再分布层包括：

图案化所述第三绝缘层以在所述第三绝缘层中形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽延伸穿过所述第三绝缘层并且暴露出所述第二再分布层的最上表面，所述第二凹槽暴露出所述连接件的最上表面；

在所述第三绝缘层上方形成图案化掩模，所述图案化掩模暴露出所述第一凹槽和所述第二凹槽；和

通过所述图案化掩模掩模在所述第一凹槽和所述第二凹槽中同时非共形地沉积导电材料；以及

去除所述载体以暴露所述第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电材料在所述第一凹槽的底部上方的厚度大于所述导电材料沿所述第一凹槽的侧壁的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三绝缘层包括可光刻图案化的绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第三绝缘层中同时形成所述导电通孔和所述第三再分布层还包括：在通过所述图案化掩模在所述第一凹槽和所述第二凹槽中同时非共形地沉积所述导电材料之后去除图案掩模。

5.一种形成集成电路封装件的方法，包括：

在载体上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方形成第一再分布层(RDL)；

在所述第一绝缘层和所述第一再分布层上方形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上方形成第二再分布层，所述第二再分布层的第一部分沿所述第二绝缘层的最上表面延伸，所述第二再分布层的第二部分延伸穿过所述第二绝缘层并且物理接触所述第一再分布层；

将集成电路管芯的第一面附接到所述第二绝缘层的最上表面，所述集成电路管芯具有与所述第一面相对的第二面；

在将所述集成电路管芯的第一面附接到所述第二绝缘层的最上表面之后，将所述集成电路管芯封装在第三绝缘层中，所述第三绝缘层与所述第二再分布层的第一部分的侧壁和最上表面物理接触；

在所述第三绝缘层中形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出所述第二重分布层的第一部分，所述第二凹槽暴露出所述集成电路管芯的第二面；同时在所述第一凹槽和所述第二凹槽中沉积第一导电材料；以及

从所述第一绝缘层处去除所述载体。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在所述第一导电材料上方形成图案化掩模，所述图案化掩模暴露出所述第一导电材料在所述第一凹槽中的第一部分和所述第一导电材料在所述第二凹槽中的第二部分；以及

通过所述图案化掩模同时在所述第一凹槽和所述第二凹槽中非共形地沉积第二导电材料。