[发明专利]多栅极晶体管、具有多栅极晶体管的设备以及形成多栅极晶体管的方法在审
| 申请号： | 202210330418.3 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN115207106A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | V·米哈廖夫;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/08;H01L29/78;H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 多栅极晶体管以及含有此类多栅极晶体管的设备及形成此类多栅极晶体管的方法可促进门控集成电路装置中的电压。此类多栅极晶体管可包含有源区，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；第二源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有所述第二导电性类型；及多个控制栅极，其在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间与所述有源区邻近，其中所述多个控制栅极中的每一控制栅极包括相应多个控制栅极部分，且其中对于所述多个控制栅极中的特定控制栅极，其相应多个控制栅极部分中的每一控制栅极部分在多个不同平面中的相应平面中与所述有源区邻近。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 晶体管 具有 设备 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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