[发明专利]多栅极晶体管、具有多栅极晶体管的设备以及形成多栅极晶体管的方法

说明书

多栅极晶体管以及含有此类多栅极晶体管的设备及形成此类多栅极晶体管的方法可促进门控集成电路装置中的电压。此类多栅极晶体管可包含有源区，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；第二源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有所述第二导电性类型；及多个控制栅极，其在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间与所述有源区邻近，其中所述多个控制栅极中的每一控制栅极包括相应多个控制栅极部分，且其中对于所述多个控制栅极中的特定控制栅极，其相应多个控制栅极部分中的每一控制栅极部分在多个不同平面中的相应平面中与所述有源区邻近。

技术领域

本公开大体上涉及集成电路，并且特定地，在一或多个实施例中，本公开涉及多栅极晶体管、包含多栅极晶体管的设备及形成多栅极晶体管的方法。

背景技术

存储器(例如，存储器装置)通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。

快闪存储器已发展成用于宽广范围的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功耗的单晶体管存储器单元。通过电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)的编程(其通常被称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)，存储器单元的阈值电压(Vt)的改变确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏机、电器、交通工具、无线装置、移动电话及可移动存储器模块，且非易失性存储器的用途不断扩大。

“与非”快闪存储器为快闪存储器装置的常见类型，因此被称为借以布置基本存储器单元配置的逻辑形式。通常，布置用于“与非”快闪存储器的存储器单元阵列，使得所述阵列的行的每一存储器单元的控制栅极连接在一起以形成例如字线的存取线。阵列的列包含在一对选择栅极(例如，源极选择晶体管与漏极选择晶体管)之间串联连接在一起的存储器单元的串(通常被称为“与非”串)。每一源极选择晶体管可连接到源极，而每一漏极选择晶体管可连接到数据线，例如列位线。已知在存储器单元串与源极之间及/或在存储器单元串与数据线之间使用多于一个选择栅极的变化。

在存储器装置中，对存储器单元(例如，编程存储器单元)的存取通常利用递送到那些存储器单元的控制栅极的高电压电平，其可超过20V。门控此类电压电平通常依赖于具有高击穿电压的晶体管，例如场效应晶体管(FET)。此类晶体管通常使用相对较大的占用面积，并且通常需要将过驱动电压施加到其控制栅极，以便通过电压节点的全电压电平。

发明内容

在一个方面中，本公开提供一种多栅极晶体管，其包括：有源区，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；第二源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有所述第二导电性类型；及多个控制栅极，其在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间与所述有源区邻近；其中所述多个控制栅极中的每一控制栅极包括相应多个控制栅极部分；且其中对于所述多个控制栅极中的特定控制栅极，其相应多个控制栅极部分中的每一控制栅极部分在多个不同平面中的相应平面中与所述有源区邻近。