[发明专利]多栅极晶体管、具有多栅极晶体管的设备以及形成多栅极晶体管的方法在审
| 申请号： | 202210330418.3 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN115207106A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | V·米哈廖夫;刘海涛 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/08;H01L29/78;H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 晶体管 具有 设备 以及 形成 方法 | ||
1.一种多栅极晶体管，其包括：
有源区，其具有第一导电性类型；
第一源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；
第二源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有所述第二导电性类型；及
多个控制栅极，其在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间与所述有源区邻近；
其中所述多个控制栅极中的每一控制栅极包括相应多个控制栅极部分；且
其中对于所述多个控制栅极中的特定控制栅极，其相应多个控制栅极部分中的每一控制栅极部分在多个不同平面中的相应平面中与所述有源区邻近。
2.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中所述多个控制栅极中的每一控制栅极独立于所述多个控制栅极中的每一剩余控制栅极。
3.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中所述特定控制栅极的所述相应多个控制栅极部分包括在所述多个不同平面中的第一平面中的导电的第一控制栅极部分及在所述多个不同平面中的第二平面中的导电的第二控制栅极部分。
4.根据权利要求3所述的多栅极晶体管，其中所述导电的第二控制栅极部分包括与所述导电的第一控制栅极部分不同的导电材料。
5.根据权利要求3所述的多栅极晶体管，其中所述第二平面处于选自由与所述第一平面正交及与所述第一平面平行组成的组的定向。
6.根据权利要求3所述的多栅极晶体管，其中所述特定控制栅极的所述相应多个控制栅极部分进一步包括在所述多个不同平面中的第三平面中的导电的第三控制栅极部分。
7.根据权利要求6所述的多栅极晶体管，其中所述第二平面与所述第一平面正交，且其中所述第三平面与所述第一平面平行。
8.根据权利要求6所述的多栅极晶体管，其中所述特定控制栅极的所述相应多个控制栅极部分进一步包括在所述多个不同平面中与所述第一平面且与所述第二平面平行的第四平面中的导电的第四控制栅极部分。
9.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中所述第一导电性类型是p型导电性，且所述第二导电性类型是n型导电性。
10.根据权利要求1所述的多栅极晶体管，其中所述第一源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域具有大于所述有源区的掺杂剂浓度的掺杂剂浓度。
11.根据权利要求10所述的多栅极晶体管，其中所述有源区具有未掺杂到2E18/cm3的掺杂剂浓度。
12.根据权利要求11所述的多栅极晶体管，其中所述第一源极/漏极区域及所述第二源极/漏极区域各自具有2E18-1E21/cm3的掺杂剂浓度。
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