[发明专利]硅片的湿法蚀刻方法和装置在审
| 申请号： | 202210325636.8 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114724948A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 梁兆龙;王国峰 | 申请（专利权）人： | 青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 266200 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种硅片的湿法蚀刻方法和装置，步骤包括，将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中；等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液；重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成。通过上述步骤，将硅片反复的上下抛动，保证了每个硅片的速度是相同的，相对于旋转硅片，不会出现靠近旋转中心的硅片的速度小，而远离旋转中心的硅片的速度大，保证硅片蚀刻均匀性，也避免硅片因为速度过大而破损，且把硅片提离液位的方式，将硅片表面残留的生成物带走，避免生成物附着在硅片的表面，阻止蚀刻反应的进行，提高反应效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 湿法 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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