[发明专利]硅片的湿法蚀刻方法和装置

说明书

本申请公开了一种硅片的湿法蚀刻方法和装置，步骤包括，将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中；等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液；重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成。通过上述步骤，将硅片反复的上下抛动，保证了每个硅片的速度是相同的，相对于旋转硅片，不会出现靠近旋转中心的硅片的速度小，而远离旋转中心的硅片的速度大，保证硅片蚀刻均匀性，也避免硅片因为速度过大而破损，且把硅片提离液位的方式，将硅片表面残留的生成物带走，避免生成物附着在硅片的表面，阻止蚀刻反应的进行，提高反应效率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种硅片的湿法蚀刻方法和装置。

背景技术

金属湿法蚀刻是一种刻蚀方法，是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，而由于在蚀刻时反应的生成物过多会附着在金属表面，会阻止反应的进一步进行，使得反应的效率降低，不利于金属湿法蚀刻完成。

现有的金属湿法蚀刻工艺上解决上述问题的方式是通过在金属蚀刻液反应槽内设置旋转装置使得硅片在金属蚀刻液中旋转，但是转动的方式无法很好的去除硅片表面的生成物，还是存在较多生成物附着于硅片的表面，阻止进一步的反应，导致腐蚀效果差，腐蚀不净，并且当转动的速度过大时，距离转动装置较远的硅片的速度非常大，容易从装载硅片的花篮架中脱离，导致硅片受损。

发明内容

本申请的目的是提供一种硅片的湿法蚀刻方法和装置，防止硅片受损，提高反应效率，保证硅片蚀刻均匀性。

本申请公开了一种硅片的湿法蚀刻方法，步骤包括：将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中；等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液；重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液的步骤，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成。

可选的，所述等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液的步骤中，将反应后的硅片提离金属蚀刻液后，并将反应后的硅片静置0.2-0.5s；所述重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液的步骤，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成的步骤中，将反应后的硅片提离金属蚀刻液后，并将反应后的硅片静置0.2-0.5s。

可选的，将反应后的硅片静置的过程中，在反应后的硅片的表面喷淋金属蚀刻液。

可选的，所述将反应后的硅片静置0.2-0.5s后，还包括：将静置后的硅片进行旋转。

可选的，所述将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中的步骤中，所述硅片沿着竖直方向浸入所述金属蚀刻液；所述等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液的步骤中，所述硅片沿着竖直方向提离所述金属蚀刻液。

可选的，所述重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液的步骤，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成的步骤中包括：重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液，并静置第二预设时间；其中，随着重复的次数增加第二预设时间逐渐减少。

本申请还公开了一种硅片的湿法蚀刻装置，用于上述所述的硅片的湿法蚀刻方法，所述硅片的湿法蚀刻装置包括：反应装置，用于放置金属蚀刻液；固定装置，用于固定硅片；以及驱动装置，与所述固定装置和所述反应装置配合，用于将所述固定装置内的硅片浸入或提离至所述反应装置中的金属蚀刻液中。

可选的，所述反应装置包括金属蚀刻液反应槽，所述驱动装置包括电机和履带，所述固定装置包括花篮架，所述金属蚀刻液反应槽内放置有金属蚀刻液，所述花篮架内放置有硅片，所述履带的一端与所述电机的输出轴连接，另一端与所述花篮架连接，所述电机通过所述履带控制所述花篮架浸入或提离至所述金属蚀刻液反应槽。