[发明专利]硅片的湿法蚀刻方法和装置

权利要求书

1.一种硅片的湿法蚀刻方法，其特征在于，步骤包括：

将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中；

等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液；

重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液的步骤，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成。

2.根据权利要求1所述的硅片的湿法蚀刻方法，其特征在于，所述等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液的步骤中，将反应后的硅片提离金属蚀刻液后，并将反应后的硅片静置0.2-0.5s；

所述重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液的步骤，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成的步骤中，将反应后的硅片提离金属蚀刻液后，并将反应后的硅片静置0.2-0.5s。

3.根据权利要求2所述的硅片的湿法蚀刻方法，其特征在于，将反应后的硅片静置的过程中，在反应后的硅片的表面喷淋金属蚀刻液。

4.根据权利要求2所述的硅片的湿法蚀刻方法，其特征在于，所述将反应后的硅片静置0.2-0.5s后，还包括：

将静置后的硅片进行旋转。

5.根据权利要求1所述的硅片的湿法蚀刻方法，其特征在于，所述将表面形成有金属膜层的硅片浸入金属蚀刻液中的步骤中，所述硅片沿着竖直方向浸入所述金属蚀刻液；

所述等待反应预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液的步骤中，所述硅片沿着竖直方向提离所述金属蚀刻液。

6.根据权利要求1所述的硅片的湿法蚀刻方法，其特征在于，所述重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液的步骤，直至硅片表面的金属膜层蚀刻完成的步骤中包括：

重复将反应后的硅片浸入金属蚀刻液中，并等待反应第一预设时间，将反应后的硅片提离金属蚀刻液，并静置第二预设时间；

其中，随着重复的次数增加第二预设时间逐渐减少。

7.一种硅片的湿法蚀刻装置，用于权利要求1-6中任意一项所述的硅片的湿法蚀刻方法，其特征在于，所述硅片的湿法蚀刻装置包括：

反应装置，用于放置金属蚀刻液；

固定装置，用于固定硅片；以及

驱动装置，与所述固定装置和所述反应装置配合，用于将所述固定装置内的硅片浸入或提离至所述反应装置中的金属蚀刻液中。

8.根据权利要求7所述的硅片的湿法蚀刻装置，其特征在于，所述反应装置包括金属蚀刻液反应槽，所述驱动装置包括电机和履带，所述固定装置包括花篮架，所述金属蚀刻液反应槽内放置有金属蚀刻液，所述花篮架内放置有硅片，所述履带的一端与所述电机的输出轴连接，另一端与所述花篮架连接，所述电机通过所述履带控制所述花篮架浸入或提离至所述金属蚀刻液反应槽。

9.根据权利要求7所述的硅片的湿法蚀刻装置，其特征在于，所述硅片的湿法蚀刻装置还包括翻转装置，所述翻转装置与所述花篮架连接，控制所述花篮架翻转。

10.根据权利要求7所述的硅片的湿法蚀刻装置，其特征在于，所述硅片的湿法蚀刻装置还包括喷淋装置，设置在所述反应装置外，并与所述反应装置连接，当所述硅片提离金属蚀刻液后，对所述硅片的表面进行喷淋金属蚀刻液。