[发明专利]极紫外光曝光系统及操作微影术系统的方法在审
申请号: | 202210307269.9 | 申请日: | 2022-03-25 |
公开(公告)号: | CN114967360A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 张凯傑;何开发;陈立锐;刘恒信 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种极紫外光曝光系统及操作微影术系统的方法,在半导体基板批次的曝光操作之前预热光罩,以减少曝光操作中光罩的基板至基板温度变化。光罩可在储存于光罩储存槽中时、自光罩储存槽转移至曝光工具的光罩台时、及/或在固定至光罩台进行曝光操作之前的另一位置中预热。以这种方式,通过减少预热光罩提供的曝光操作中光罩的温度变化,可减少在曝光操作中处理的半导体基板的叠对差量及错位。这提高了叠对性能,且增加了曝光工具的产能,并提高了半导体装置的品质。此外,在将光罩固定至曝光操作的光罩台之前预热光罩,可减少及/或最小化预热对曝光工具的产能及处理时间的影响。 | ||
搜索关键词: | 紫外光 曝光 系统 操作 微影术 方法 | ||
【主权项】:
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