[发明专利]极紫外光曝光系统及操作微影术系统的方法在审
申请号: | 202210307269.9 | 申请日: | 2022-03-25 |
公开(公告)号: | CN114967360A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 张凯傑;何开发;陈立锐;刘恒信 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外光 曝光 系统 操作 微影术 方法 | ||
一种极紫外光曝光系统及操作微影术系统的方法,在半导体基板批次的曝光操作之前预热光罩,以减少曝光操作中光罩的基板至基板温度变化。光罩可在储存于光罩储存槽中时、自光罩储存槽转移至曝光工具的光罩台时、及/或在固定至光罩台进行曝光操作之前的另一位置中预热。以这种方式,通过减少预热光罩提供的曝光操作中光罩的温度变化,可减少在曝光操作中处理的半导体基板的叠对差量及错位。这提高了叠对性能,且增加了曝光工具的产能,并提高了半导体装置的品质。此外,在将光罩固定至曝光操作的光罩台之前预热光罩,可减少及/或最小化预热对曝光工具的产能及处理时间的影响。
技术领域
本揭示内容的一些实施方式提供极紫外光曝光系统及操作微影术系统的方法。
背景技术
随着半导体装置尺寸的不断缩小,一些微影术技术受到光学限制,从而导致解析度问题及微影术性能降低。相比之下,极紫外光(extreme ultraviolet,EUV)微影术可经由使用反射光学及约13.5纳米或更小的辐射波长来达成更小的半导体装置尺寸及/或特征尺寸。
发明内容
本揭示内容的一些实施方式提供一种操作微影术系统的方法,包含:通过微影术系统的光罩传输系统,在微影术系统的曝光工具的曝光操作之前,预热光罩;以及通过光罩传输系统将光罩传输至曝光工具的光罩台,其中在以下情况中的至少一者时,预热光罩:在将光罩传输至光罩台之前,或在将光罩传输至光罩台期间。
本揭示内容的一些实施方式提供一种操作微影术系统的方法,包含:通过极紫外光系统的控制器判定加热参数,加热参数用于在基板批次的曝光操作之前,加热光罩;及通过控制器提供信号至极紫外光系统的光罩传输系统中的一或多个组件,以使光罩在曝光操作之前,基于加热参数加热。
本揭示内容的一些实施方式提供极紫外光曝光系统,包含:光罩台,配置以支撑光罩;热像仪,配置以在第一曝光操作中由光罩台支撑光罩时,产生与光罩相关联的温度数据;控制器,配置以基于温度,判定用于在第一曝光操作之后的第二曝光操作之前加热光罩的一或多个参数;及一或多个加热器,配置以在将光罩置放于光罩台上以用于第二曝光操作之前,基于此或此些参数来加热光罩。
附图说明
本本揭示内容的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意,根据行业中的标准规范,各种特征未按比例绘制。实际上,各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
图1为本文所述的实例微影术系统的示意图;
图2A及图2B为本文所述的用于图1的实例微影术系统的实例光罩传输系统的示意图;
图3A至图3I为本文所述的实例实施的示意图;
图4为本文所述的图1的一或多个装置的实例组件的示意图;
图5及图6为与本文所述加热光罩相关的实例制程的流程图。
【符号说明】
100:微影术系统
102:辐射源
104:曝光工具
106:辐射
108:光罩
110:半导体基板
112:集光器
114:中间焦点
116:液滴
118:激光
120:液滴发生器头
122:开口
124:照明器
126:投影光学盒
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