[发明专利]接触电阻的测试版图及测试方法在审
申请号: | 202210272810.7 | 申请日: | 2022-03-18 |
公开(公告)号: | CN114664796A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 王学伟;杜青松 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66;H01L27/02;G06F30/392 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 陈万青;张颖玲 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开实施例提供一种接触电阻的测试版图及测试方法;其中,所述测试版图包括:有源层,所述有源层包括若干个有源区图案;第一接触栓塞层,所述第一接触栓塞层包括多个重复设置的第一接触栓塞图案;第二接触栓塞层,所述第二接触栓塞层包括多个重复设置的第二接触栓塞图案;第一金属层和第二金属层;所述有源层、所述第一接触栓塞层和所述第一金属层构成第一版图,所述第一版图用来形成第一接触栓塞结构;所述有源层、所述第一接触栓塞层、所述第一金属层、所述第二接触栓塞层和所述第二金属层构成第二版图,所述第二版图用来形成并联的第一接触栓塞结构和第二接触栓塞结构。 | ||
搜索关键词: | 接触 电阻 测试 版图 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210272810.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。