[发明专利]接触电阻的测试版图及测试方法

说明书

本公开实施例提供一种接触电阻的测试版图及测试方法；其中，所述测试版图包括：有源层，所述有源层包括若干个有源区图案；第一接触栓塞层，所述第一接触栓塞层包括多个重复设置的第一接触栓塞图案；第二接触栓塞层，所述第二接触栓塞层包括多个重复设置的第二接触栓塞图案；第一金属层和第二金属层；所述有源层、所述第一接触栓塞层和所述第一金属层构成第一版图，所述第一版图用来形成第一接触栓塞结构；所述有源层、所述第一接触栓塞层、所述第一金属层、所述第二接触栓塞层和所述第二金属层构成第二版图，所述第二版图用来形成并联的第一接触栓塞结构和第二接触栓塞结构。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，涉及但不限于一种接触电阻的测试版图及测试方法。

背景技术

相关技术中，半导体器件中接触孔的接触电阻有多种测量方式，但这些测量方式都只能测量单一类型接触孔的接触电阻，相关技术在测量时，设置多个接触孔，再对测得的测试结果进行平均后，得到每一接触孔的接触电阻值。

但是，相关技术中的测量方法测得的接触孔的接触电阻值受到较多外在因素影响，接触孔真实的接触电阻值与测得的电阻值之间存在较大误差。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种接触电阻的测试版图及测试方法。

第一方面，本公开实施例提供一种接触电阻的测试版图，所述测试版图包括：

有源层，所述有源层包括若干个有源区图案；

第一接触栓塞层，所述第一接触栓塞层包括多个重复设置的第一接触栓塞图案；

第二接触栓塞层，所述第二接触栓塞层包括多个重复设置的第二接触栓塞图案；

第一金属层和第二金属层；

所述有源层、所述第一接触栓塞层和所述第一金属层构成第一版图，所述第一版图用来形成第一接触栓塞结构；

所述有源层、所述第一接触栓塞层、所述第一金属层、所述第二接触栓塞层和所述第二金属层构成第二版图，所述第二版图用来形成并联的第一接触栓塞结构和第二接触栓塞结构。

在一些实施例中，所述第一金属层包括若干条第一金属线图案；

所述有源区图案上包括至少两个所述第一接触栓塞图案，每一所述第一接触栓塞图案位于所述有源区图案与所述第一金属线图案的重叠区域，形成所述第一版图。

在一些实施例中，所述第二金属层包括若干条第二金属线图案；

所述有源区图案上包括至少两个所述第一接触栓塞图案和至少两个所述第二接触栓塞图案，每一所述第二接触栓塞图案与所述第一接触栓塞图案重合，且位于所述有源区图案与所述第一金属线图案的重叠区域，所述第二金属线图案覆盖位于同一所述有源区图案上的至少两个所述第二接触栓塞图案，形成所述第二版图。

在一些实施例中，所述第一版图和所述第二版图共用若干个所述有源区图案。

在一些实施例中，所述有源区图案呈S形直链式排布；或，

所述有源区图案沿第一方向和/或第二方向呈阵列排布；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

在一些实施例中，所述第一金属线图案包括至少一个第一U形图案和至少一个第二U形图案。

在一些实施例中，所述第一版图中所述第一金属线图案的长度之和，等于所述第二版图中所述第一金属线图案的长度之和。

在一些实施例中，所述第一版图还包括两个第一接触衬垫图案；所述第二版图还包括两个第二接触衬垫图案。

在一些实施例中，所述测试版图还包括栅极层，所述栅极层包括若干个栅极图案；