[发明专利]凸缘构造和真空排气系统在审
| 申请号： | 202210265170.7 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN115132636A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 中峰孝久 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种在使用凸缘将配管彼此连接时能够容许凸缘彼此之间的偏移的凸缘构造和真空排气系统。一种凸缘构造，其将第1配管和第2配管连接，其中，该凸缘构造具有：第1固定凸缘，其设于所述第1配管的前端；第2固定凸缘，其设于所述第2配管的前端；密封构件，其设于所述第1固定凸缘和所述第2固定凸缘中的一者；可动凸缘，其在比所述第2固定凸缘靠里侧的位置，以包围所述第2配管的外周的方式具有框形状，设为能够在与所述第2配管的延伸方向相交的方向上移动；以及固定构件，其将所述可动凸缘固定于所述第1固定凸缘。 | ||
| 搜索关键词： | 凸缘 构造 真空 排气 系统 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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