[发明专利]低功耗的屏蔽栅半导体功率器件测试装置在审
申请号: | 202210233471.1 | 申请日: | 2022-03-10 |
公开(公告)号: | CN114927453A | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 周德金;刘桂芝;许剑 | 申请(专利权)人: | 清华大学无锡应用技术研究院;无锡麟力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/687;H01L21/66;H01L21/67;B08B5/04 |
代理公司: | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人: | 王普慧 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供低功耗的屏蔽栅半导体功率器件测试装置,包括测试台,支撑柱,底板,第一支撑板,斜T型滑槽,控制箱,可滑动插接防护座结构,可复位检测移动座结构,可转动除尘降温罩结构,倒L型遮挡板,检测模块,吸尘器,连接管,可支撑防晃定位架结构,滑槽,滑孔和固定座所述的测试台的下端四角位置分别螺栓连接有支撑柱;所述的支撑柱之间的下部螺栓连接有底板。本发明吸尘器,第一固定管,第二固定管,金属软管和吸尘罩的设置,有利于在使用的过程中通过吸尘器工作时产生的动力,使吸尘罩进行吸尘工作,通过吸尘罩设置在插接座的上方,方便在检测的过程中提高降温效率。 | ||
搜索关键词: | 功耗 屏蔽 半导体 功率 器件 测试 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学无锡应用技术研究院;无锡麟力科技有限公司,未经清华大学无锡应用技术研究院;无锡麟力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210233471.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造