[发明专利]用于半导体功率模块的金属衬底结构和制造金属衬底结构的方法以及半导体功率模块在审
| 申请号： | 202210225822.4 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN115148607A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | D·吉隆;H·拜尔;R·埃巴尔 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造用于半导体功率模块(1)的金属衬底结构(10)的方法，包括提供至少一个端子(15)、提供金属顶层(11)、提供介电层(12)以及提供金属底层(13)。该方法还包括通过焊接将至少一个端子(15)与金属顶层(11)联接，以及将金属顶层(11)与介电层(12)和金属底层(13)联接，使得介电层(12)与金属顶层(11)和金属底层(13)两者联接、介于两者之间。将至少一个端子(15)与金属顶层(11)联接是在将金属顶层(11)与介电层(12)和金属底层(13)联接之前完成的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 功率 模块 金属 衬底 结构 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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