[发明专利]用于半导体功率模块的金属衬底结构和制造金属衬底结构的方法以及半导体功率模块

权利要求书

1.一种用于制造用于半导体功率模块(1)的金属衬底结构(10)的方法，所述方法包括：

-提供至少一个端子(15)，

-提供金属顶层(11)，

-提供介电层(12)，

-提供金属底层(13)，

-通过焊接将所述至少一个端子(15)与所述金属顶层(11)联接，以及

-将所述金属顶层(11)与所述介电层(12)联接并且与所述金属底层(13)联接，使得所述介电层(12)与所述金属顶层(11)和所述金属底层(13)两者都联接并且介于两者之间，其中，将所述至少一个端子(15)与所述金属顶层(11)联接是在将所述金属顶层(11)与所述介电层(12)联接并且与所述金属底层(13)联接之前完成的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述金属顶层(11)与所述介电层(12)联接并且与所述金属底层(13)联接的步骤包括：

-将所述金属顶层(11)、介电层(12)和金属底层(13)相对彼此对齐，以及

-对所述金属顶层(11)、介电层(12)和金属底层(13)层叠。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述金属顶层(11)与所述介电层(12)联接并且与所述金属底层(13)联接的步骤包括：

-提供成型物质，

-将所述金属顶层(11)和金属底层(13)相对彼此对齐并且在它们之间有预定距离，以及

-将所提供的成型物质引入对齐的所述金属顶层(11)和金属底层(13)之间，从而通过成型来形成所述介电层(12)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述介电层(12)通过注射成型、压缩成型和/或传递成型来形成。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，提供所述金属顶层(11)的步骤包括：

通过掩模和蚀刻来形成具有至少一个凹部(14)的金属顶层(11)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，提供金属顶层(11)的步骤包括：

通过冲压和/或切割来形成具有至少一个凹部(14)的金属顶层(11)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过焊接将所述至少一个端子(15)与所述金属顶层(11)联接是在对所述金属顶层(11)进行冲压之前或之后完成的。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，通过焊接将所述至少一个端子(15)与所述金属顶层(11)联接通过超声波焊接和/或激光焊接来完成。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法进一步包括：

对联接的所述至少一个端子(15)、金属顶层(11)、介电层(12)和/或金属底层(13)进行清洁和/或校平。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法进一步包括：

-提供电子器件(2)，以及

-将所述电子器件(2)与所述金属顶层(11)联接。

11.一种用于半导体功率模块的金属衬底结构(10)，所述金属衬底结构根据权利要求1至10中任一项所述的方法制成，所述金属衬底结构包括：

-金属顶层(11)，所述金属顶层具有至少一个凹部(14)，

-至少一个端子(15)，所述至少一个端子通过焊接与所述金属顶层(11)联接，

-金属底层(13)，以及

-介电层(12)，所述介电层与所述金属顶层(11)以及所述金属底层(13)两者联接，并且所述介电层通过成型在所述金属顶层(11)与所述金属底层(13)之间形成。

12.根据权利要求11所述的金属衬底结构(10)，其中，包括至少一个凹部(14)的所述金属顶层(11)通过冲压、蚀刻和/或切割而形成，并且其中，所述介电层(12)被成型使得所述介电层延伸到所述至少一个凹部(14)中。