[发明专利]一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置在审
| 申请号： | 202210221959.2 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114578660A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 付纯鹤;张叶;高荣荣;卢金剑;杜旭 | 申请（专利权）人： | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 于彬 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置，首次曝光时，基于待曝光基片的轮廓信息，确定待曝光表面中的最大内接矩形；基于最大内接矩形的尺寸和曝光单元的尺寸，确定有效曝光区域和曝光单元的布局数据；选择有效曝光区域的指定方位上的顶点作为起始曝光标记点，基于起始曝光标记点和有效曝光区域的其余方位上的顶点构建标记点数据；根据曝光单元的布局数据、标记点数据和预设曝光方向，采用S型路径算法，确定待曝光基片的曝光路径；按照曝光路径，从起始曝光标记点开始在有效曝光区域内对待曝光基片进行曝光。本申请根据基片实际的轮廓动态确定有效曝光区域，从而进行曝光路径的动态规划，进而提高基片的利用率和芯片的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非标 规格 半导体 曝光 方法 装置 | ||
【主权项】：
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