[发明专利]一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置

说明书

本申请提供了一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置，首次曝光时，基于待曝光基片的轮廓信息，确定待曝光表面中的最大内接矩形；基于最大内接矩形的尺寸和曝光单元的尺寸，确定有效曝光区域和曝光单元的布局数据；选择有效曝光区域的指定方位上的顶点作为起始曝光标记点，基于起始曝光标记点和有效曝光区域的其余方位上的顶点构建标记点数据；根据曝光单元的布局数据、标记点数据和预设曝光方向，采用S型路径算法，确定待曝光基片的曝光路径；按照曝光路径，从起始曝光标记点开始在有效曝光区域内对待曝光基片进行曝光。本申请根据基片实际的轮廓动态确定有效曝光区域，从而进行曝光路径的动态规划，进而提高基片的利用率和芯片的生产效率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置。

背景技术

随着半导体技术的快速发展，集成芯片集成度的不断提高，使得芯片的制作工艺日趋复杂，为了保证较高的成品率，对整个工艺流程和装置设备的要求就会更加严格。在集成芯片的制造过程中经历了材料制备、掩模、光刻、清洗、刻蚀、等多个工序，其中尤以光刻工艺最为关键，它决定着制造工艺的先进程度以及集成芯片的成品质量。

光刻作为半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，是利用光至抗蚀剂或刻蚀胶曝光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模版上的图形刻制到被加工的晶圆表面上。在曝光过程中，由于曝光系统一次曝光的面积大小是有限的，因此在曝光时需要将一个基片划分为多个曝光单元分别进行曝光成像。现如今也提出了多种针对标准基片中曝光单元的排布方法，其中，标准基片为标准尺寸为4-12英寸的晶圆。

但是当需曝光的基片外形和尺寸为非行业标准晶圆时，现有的曝光单元的排布方法并不适用。为了解决非标准基底曝光路径问题，通常需要手动设置曝光的区域和各个曝光路径，而由于同一批次的基片尺寸差异，只能按照最小规格外形定义方形基片。但非标规格基片制程工艺复杂、材料昂贵，这种方法会造成极大的生产浪费，而如果对每个基片定义一个曝光区域，则会大大降低生产效率。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置，根据基片实际的外形轮廓动态确定有效曝光区域，从而做动态的曝光路径规划，进而提高基片的利用率和生产效率。

本申请实施例提供了一种非标规格半导体基片的曝光方法，所述曝光方法包括：

当确定待曝光基片为首次曝光时，基于所述待曝光基片的待曝光表面的轮廓信息，确定所述待曝光表面中的最大内接矩形；

基于所述最大内接矩形的尺寸和曝光单元的尺寸，确定所述待曝光基片的有效曝光区域和所述曝光单元的布局数据；所述有效曝光区域的面积是所述曝光单元面积的整数倍，所述有效曝光区域为所述最大内接矩形中包含最多曝光单元的区域；

选择所述有效曝光区域的指定方位上的顶点作为起始曝光标记点，基于所述起始曝光标记点和所述有效曝光区域的其余方位上的顶点构建标记点数据；

根据曝光单元的布局数据、所述标记点数据和预设曝光方向，采用S型路径算法，确定所述待曝光基片的曝光路径；

按照所述曝光路径，从所述起始曝光标记点开始在所述有效曝光区域内对所述待曝光基片进行曝光。

可选的，在根据曝光单元的布局数据和预设曝光方向，采用S型路径算法，确定所述待曝光基片的曝光路径之前，所述曝光方法还包括：

将所述曝光单元的布局数据以及所述标记点数据与所述待曝光基片的身份标识绑定；

将绑定后的所述曝光单元的布局数据以及所述标记点数据存储至曝光工艺数据库中。

可选的，通过以下步骤确定所述待曝光基片是否为首次曝光：

对获取的所述待曝光表面的图像进行身份标识位置定位，确定身份标识信息区域；