[发明专利]一种非标规格半导体基片的曝光方法及装置

权利要求书

1.一种非标规格半导体基片的曝光方法，其特征在于，所述曝光方法包括：

当确定待曝光基片为首次曝光时，基于所述待曝光基片的待曝光表面的轮廓信息，确定所述待曝光表面中的最大内接矩形；

基于所述最大内接矩形的尺寸和曝光单元的尺寸，确定所述待曝光基片的有效曝光区域和所述曝光单元的布局数据；所述有效曝光区域的面积是所述曝光单元面积的整数倍，所述有效曝光区域为所述最大内接矩形中包含最多曝光单元的区域；

选择所述有效曝光区域的指定方位上的顶点作为起始曝光标记点，基于所述起始曝光标记点和所述有效曝光区域的其余方位上的顶点构建标记点数据；

根据曝光单元的布局数据、所述标记点数据和预设曝光方向，采用S型路径算法，确定所述待曝光基片的曝光路径；

按照所述曝光路径，从所述起始曝光标记点开始在所述有效曝光区域内对所述待曝光基片进行曝光。

2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，在根据曝光单元的布局数据和预设曝光方向，采用S型路径算法，确定所述待曝光基片的曝光路径之前，所述曝光方法还包括：

将所述曝光单元的布局数据以及所述标记点数据与所述待曝光基片的身份标识绑定；

将绑定后的所述曝光单元的布局数据以及所述标记点数据存储至曝光工艺数据库中。

3.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，通过以下步骤确定所述待曝光基片是否为首次曝光：

对获取的所述待曝光表面的图像进行身份标识位置定位，确定身份标识信息区域；

对所述身份标识信息区域进行字符识别或条码识别，得到所述待曝光基片的身份标识；

基于所述待曝光基片的身份标识，从所述曝光工艺数据库中查找是否存在所述待曝光基片的曝光规划数据；所述曝光工艺数据包括所述曝光单元的布局数据以及所述标记点数据；

当为否时，确定所述待曝光基片为首次曝光；

当为是时，确定所述待曝光基片不为首次曝光。

4.根据权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，通过以下步骤获取所述待曝光表面的图像：

获取包括所待曝光基片的曝光工件平台的全景图像；

对所述全景图像进行图像识别，确定所述待曝光基片的待曝光表面的图像。

5.根据权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，当确定所述待曝光基片不为首次曝光时，所述曝光方法包括：

读取所述待曝光基片的曝光规划数据；

基于所述曝光规划数据中的标记点数据和所述待曝光基片的待曝光表面的轮廓信息，对所述待曝光基片进行曝光定位；

定位后，根据所述曝光单元的布局数据、所述标记点数据和预设曝光方向，采用S型路径算法，确定所述待曝光基片的曝光路径；

按照所述曝光路径，从所述起始曝光标记点开始在所述有效曝光区域内对所述待曝光基片进行曝光。

6.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述基于所述最大内接矩形的尺寸和曝光单元的尺寸，确定所述待曝光基片的有效曝光区域和所述曝光单元的布局数据，包括：

按照所述曝光单元的尺寸对所述最大内接矩形进行取整分割，确定所述最大内接矩形中能包括最多所述曝光单元的目标区域，并将所述目标区域确定为所述有效曝光区域；

基于所述有效曝光区域的尺寸和所述曝光单元的尺寸，确定所述曝光单元的行数、所述曝光单元的列数、以及所述曝光单元的排布方向；

基于所述曝光单元的行数、所述曝光单元的列数、以及所述曝光单元的排布方向，确定所述曝光单元的布局数据。

7.根据权利要求6所述的曝光方法，其特征在于，在按照所述曝光单元的尺寸对所述最大内接矩形进行取整分割之前，所述曝光方法还包括：

根据所述最大内接矩形的尺寸和预设边距，确定位于所述最大内接矩形内部的目标矩形；所述目标矩形与所述最大内接矩形相邻两边的边距均为所述预设边距；

将所述目标矩形确定为需进行取整分割的所述最大内接矩形。