[发明专利]一种碳化硅功率器件结终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210221058.3 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114300530A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李翔;吴文杰;何浩祥;刘毅 | 申请（专利权）人： | 芯众享（成都）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 成都鼎胜专利代理事务所(普通合伙) 51356 | 代理人： | 李想 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅功率器件结终端结构及其制备方法，属于碳化硅功率器件的技术领域，该碳化硅功率器件结终端结构将隔离环的全部或者部分做成为变深度注入的倾斜坡面，倾斜坡面为从内向外逐渐变浅，该结构设计能够缓解以至于几乎消除了电力线聚集的问题，且结终端结构的占用的面积最小，同时，对应的制备方法中提出的利用两层具有不同湿法刻蚀速率的材料实现变厚度介质的方法，利用二者湿法刻蚀材料在湿法刻蚀速率的差别，形成角度可控的倾斜坡面，进而实现结终端结构的P型区进行变深度注入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 器件 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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