[发明专利]一种碳化硅功率器件结终端结构及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅功率器件结终端结构，其特征在于，该结终端结构包括：工作区和环绕于工作区外部的隔离环，所述隔离环与工作区之间形成交界线，且交界线与隔离环的边缘线之间设有一中环线；所述交界线或中环线与隔离环的边缘线之间设为呈变深度的倾斜坡面；所述隔离环的底面与倾斜坡面之间设为平滑过渡。

2.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件结终端结构，其特征在于，所述隔离环通过注入P型材料而成。

3.根据权利要求1所述的碳化硅功率器件结终端结构，其特征在于，所述交界线与隔离环的边缘线之间的宽度间距等于所述倾斜坡面的宽度间距。

4.一种碳化硅功率器件结终端结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：

S1：在碳化硅的表面划分工作区注入域和P型区注入域；

S2：在工作区注入域进行掩膜图形化形成工序；

S3：在P型区注入域进行注入掩膜形成工序，所述注入掩膜形成工序包括：

S301：在P型区注入域的表面沉积两层不同速率的湿法刻蚀材料，且高刻蚀速率材料位于上层，低刻蚀速率材料位于下层；

S302：在高刻蚀速率材料的表面上沉积光刻胶；

S303：对光刻胶进行光刻图形化；

S304：对光刻图形化部分进行湿法刻蚀并通过湿法刻蚀在湿法刻蚀材料上形成倾斜坡面；

S305：去掉光刻胶；

S4：通过一次离子注入形成结终端结构的工作区和P型区；

其中，上述步骤S2和步骤S3不分先后顺序。

5.根据权利要求4所述的碳化硅功率器件结终端结构的制备方法，其特征在于，所述掩膜图形化形成工序包括：

S201：在工作区注入域的表面沉积注入掩膜；

S202：在注入掩膜的表面沉积光刻胶；

S203：对光刻胶进行光刻图形化。

6.根据权利要求4所述的碳化硅功率器件结终端结构的制备方法，其特征在于，所述注入掩膜形成工序还包括：

S306：去掉位于上层的高刻蚀速率材料。

7.根据权利要求4所述的碳化硅功率器件结终端结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S301中的低刻蚀速率材料为注入掩膜，且低刻蚀速率材料的厚度大于1.5微米。