[发明专利]一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺在审
| 申请号： | 202210205046.1 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114649207A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 石明;陈杰;杨川毅;刘琦 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3105;H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 | 代理人： | 冷泠 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺，其改善工艺包括以下步骤：S1、首先需要进行准备适量的氨水、双氧水和水实时备用，将准备好的氨水、双氧水和水进行药液混合配液，将氨水、双氧水和水混合液调整配比至一定的药液浓度，并且选用low cop的单晶加工一定直径的半导体产品进行实时备用，S2、然后需要进行使用low cop的单晶加工至最终清洗前，并且选取6组实验所需的硅片，并将第一组实验设定为现有的工艺，将第二组实验仅仅改变一槽HF的清洗时间。本发明所述的工艺改善在FTIR测试膜厚参数模式下,卡控氧化层厚度 |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 硅片 表面 自然 氧化 厚度 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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